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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-04-23 10:40 ガラス基板上のレーザ活性化トップゲート水素化微結晶シリコンTFT ○原 明人・渋谷 潤・佐藤 旦（東北学院大）・北原邦紀（島根大）  SDM2010-2 OME2010-2 |
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| 抄録 | （和） | トップゲート(TG)水素化微結晶シリコン（μc-Si:H）薄膜トランジスタ（TFT）とTG 多結晶シリコン(poly-Si) TFTのモノリシック集積化を目指している。μc-Si:H TFTを動作させるためには、水素化非晶質シリコン（a-Si:H） TFTと同様に非平衡の多量の水素をチャネル内に保持していることが重要である。そこで、非平衡水素の保持が可能なレーザ活性化TG μc-Si:H TFTのプロセスを開発し、移動度1.1 cm2/Vsを実現した。 |
| （英） | The aim of this research is to realize the monolithic integration of top-gate (TG) hydrogenated microcrystalline-silicon (μc-Si:H) thin film transistors (TFTs) and TG poly-Si TFTs. In order to fabricate TG μc-Si:H TFTs, it is necessary to contain high concentration of hydrogen, which is introduced during μc-Si:H growth, in the channel region. To achieve this, we developed laser-activated TG μc-Si:H TFTs at a process temperature of 325°C and achieved a field-effect mobility of 1.1 cm2/Vs. | |
| キーワード | （和） | 微結晶シリコン / ＴＦＴ / レーザ活性化 / / / / / |
| （英） | Microcrystalline-silicon / μc-Si:H / TFT / laser activation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 15, SDM2010-2, pp. 5-8, 2010年4月. | |
| 資料番号 | SDM2010-2 | |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-2 OME2010-2 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2010-04-23 - 2010-04-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ガラス基板上のレーザ活性化トップゲート水素化微結晶シリコンTFT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Laser-activated Top-gate μc-Si:H TFTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 微結晶シリコン / Microcrystalline-silicon |
| キーワード(2)（和/英） | ＴＦＴ / μc-Si:H |
| キーワード(3)（和/英） | レーザ活性化 / TFT |
| キーワード(4)（和/英） | / laser activation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渋谷 潤 / Jun Shibuya / シブヤ ジュン |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 旦 / Tadashi Sato / サトウ タダシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北原 邦紀 / Kuninori Kitahara / キタハラ クニノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 島根大学 (略称： 島根大) Shimane University (略称： Shimane Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-04-23 10:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-2, OME2010-2 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.15(SDM), no.16(OME) |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) |
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