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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-04-23 10:45 有機ゲート絶縁膜を用いたFETの試作とキャリア輸送特性評価 ○橋本将貴・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大）  ED2010-14 |
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| 抄録 | （和） | 我々は多結晶Si中の粒界の電荷輸送への影響を調査するために、150ºC以下でSiFETを低温形成し電気特性評価を行った。低温形成は多結晶Si中の金属不純物の熱拡散によるFET特性変化を防ぐために必須である。具体的には、ソースとドレインにショットキー接触を採用し、さらにゲート絶縁膜として有機材料であるポリメチルメタクリレート（PMMA）を用いることで、形成温度150ºC以下でFET特性を得るにいたった。LSIグレードの単結晶Si基板を用いてFET試作を行い、チャネル移動度として84.2cm2/Vsを得た。太陽電池用多結晶Si基板を用いて1個の粒界を横切るチャネルを持つFET試作を行い、移動度として3.36cm2/Vsを得た。さらに、多結晶SiFETの移動度の温度特性を測定することにより、粒界のエネルギー障壁を求め、バンドダイアグラムの考察を行った。従来、多数の粒界を横切るキャリア輸送評価の研究はあったが、1個の粒界について本例が初めてであり、本手法は粒界固有のエネルギー障壁をより厳密に評価する上で有効である。 |
| （英） | We fabricated organic gate Si FETs with Schottky contacts with a temperature of less than 150ºC to extract carrier transport properties crossing a single grain boundary in polycrystalline Si. The low-temperature fabrication process is indispensable to prevent deterioration of the FET at the boundary due to thermal diffusions of metallic impurities. We obtained a field effect mobility of 84.2cn2/Vs with a LSI grade single crystalline Si wafer while that crossing the grain boundary was 3.36cm2/Vs. Moreover we measured temperature dependence of the field effect mobility and estimated the energy barrier as 0.21 eV. The presented method is an effective measure to investigate the energy barrier of the grain boundary for the development of high performance thin film transistors. | |
| キーワード | （和） | 多結晶シリコン / FET / 低温プロセス / PMMA / ショットキー接触 / / / |
| （英） | Polycrystalline Silicon / FET / grain boundary / carrier transport / PMMA / Schottky contact / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 11, ED2010-14, pp. 61-65, 2010年4月. | |
| 資料番号 | ED2010-14 | |
| 発行日 | 2010-04-15 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-14 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2010-04-22 - 2010-04-23 |
| 開催地（和） | 伝国の杜（米沢） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 有機・薄膜デバイス,一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-04-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 有機ゲート絶縁膜を用いたFETの試作とキャリア輸送特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Organic gate FETs for charactrizing carrier transport in polycrystalline Si |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン / Polycrystalline Silicon |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | 低温プロセス / grain boundary |
| キーワード(4)（和/英） | PMMA / carrier transport |
| キーワード(5)（和/英） | ショットキー接触 / PMMA |
| キーワード(6)（和/英） | / Schottky contact |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 将貴 / Masaki Hashimoto / ハシモト マサキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 貴彦 / Takahiko Suzuki / スズキ タカヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose / ヒロセ フミヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-04-23 10:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-14 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.11 |
| ページ範囲 | pp.61-65 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-04-15 (ED) |
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