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| 講演名 | 2010-04-23 17:00 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価 ○Gwang-Geun Lee（東工大）・Sung-Min Yoon（ETRI）・Joo-Won Yoon（東工大）・藤崎芳久（日立）・石原 宏・徳光永輔（東工大）  SDM2010-16 OME2010-16 |
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| 抄録 | （和） | 本稿では有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機のアモルファス酸化物半導体IGZOとを組み合わせて、不揮発性メモリ機能をもつ薄膜トランジスタを試作した結果について述べる。最初に有機強誘電体P(VDF-TrFE)薄膜をPt電極およびITO電極上に形成してキャパシタを作製して強誘電特性を評価したところ、双方の電極上でほぼ同等の特性が得られることを確認した。次にIGZOをチャネルに用いたトップゲート構造の強誘電体ゲート薄膜トランジスタを作製した。ドレイン電流―ゲート電圧特性において強誘電体によるヒステリシスループを観測し、不揮発性メモリ機能を確認した。メモリウインドウは４Ｖであった。またドレイン電流のオンオフ比が10^5以上、サブスレッショルド係数は130 mV/decadeと良好な電気的特性が得られた。 |
| （英） | Poly(vinylidene fluoride trifluoroethylene) , P(VDF-TrFE), and In-Ga-Zn-O (IGZO)were employed to fabricate nonvolatile memory thin film transistors as ferroelectric gate insulator and oxide semiconducting channel layers, respectively. First, the basic ferroelectric properties of the P(VDF-TrFE) films prepared on the ITO and Pt electrodes were confirmed and compared. Regardless of the bottom electrodes, we obtained the almost similar ferroelectric properties, including the remnant polarization and switching characteristics. Next, we fabricated ferroelectric-gate thin film transistors (Fe-TFTs) with Al/P(VDF-TrFE)(150nm)/IGZO(10nm) top-gate structure. Excellent electrical characteristics are demonstrated and nonvolatile memory function was confirmed with a memory window of 4 V. In addition, a subthreshold voltage swing of approximately 130 mV/decade and a drain current on/off ratio of more than 105 were obtained. | |
| キーワード | （和） | P(VDF-TrFE) / IGZO / 強誘電体 / 薄膜トランジスタ / 不揮発性メモリ / / / |
| （英） | P(VDF-TrFE) / IGZO / ferroelectric / thin film transistor / nonvolatile memory / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 15, SDM2010-16, pp. 71-75, 2010年4月. | |
| 資料番号 | SDM2010-16 | |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-16 OME2010-16 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2010-04-23 - 2010-04-23 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and characterization of IGZO-channel ferroelectric-gate TFTs with P(VDF-TrFE) film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | P(VDF-TrFE) / P(VDF-TrFE) |
| キーワード(2)（和/英） | IGZO / IGZO |
| キーワード(3)（和/英） | 強誘電体 / ferroelectric |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| キーワード(5)（和/英） | 不揮発性メモリ / nonvolatile memory |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Gwang-Geun Lee / Gwang-Geun Lee / |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Sung-Min Yoon / Sung-Min Yoon / |
| 第2著者 所属（和/英） | Electronics And Telecommunications Res. Inst. (略称： ETRI) Electronics And Telecommunications Res. Inst. (略称： ETRI) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Joo-Won Yoon / Joo-Won Yoon / |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤崎 芳久 / Yoshihisa Fujisaki / フジサキ ヨシヒサ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石原 宏 / Hiroshi Ishiwara / イシハラ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳光 永輔 / Eisuke Tokumitsu / トクミツ エイスケ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-04-23 17:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-16, OME2010-16 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.15(SDM), no.16(OME) |
| ページ範囲 | pp.71-75 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-04-16 (SDM, OME) |
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