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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-05-14 13:55 MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面 ○高野 泰・山田洋毅・見崎 龍・高木達也・福家俊郎（静岡大）  ED2010-31 CPM2010-21 SDM2010-31 |
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| 抄録 | （和） | 有機金属気相成長法でSi基板上にGaPを結晶成長させた。4°オフ基板上に700-830℃でGaPを成長させ、成長初期時の表面モホロジーの変遷を原子間力顕微鏡で調べた。770℃以上で多数の結晶核が発生し、早期に島状成長から層状成長へ遷移した。アンチフェイズドメインはすべての試料において存在した。アンチフェイズドメインの割合は成長条件に依存した。800-830℃の成長で40nm以下の膜厚でシングルドメインのGaPが得られた。 |
| （英） | GaP layers were grown on 4° misoriented Si substrates at 700－830°C using metalorganic vapor phase epitaxy. The surface at initial growth stage was investigated using atomic force microscopy. Islands nucleated densely at temperatures above 770°C. The GaP structure changed from islands to a layer after 5－20 nm GaP deposition. Antiphase domains (APDs) were found in any sample. They induced the surface roughness of the layer. They self-annihilated during growth. A single domain surface was achieved after 40 nm deposition at 800－830°C. The coverage of APDs in the surface decreased with temperature from 830 to 800°C. | |
| キーワード | （和） | MOVPE / GaP / シリコン基板 / アンチフェイズドメイン / 原子間力顕微鏡 / / / |
| （英） | MOVPE / GaP / Si substrate / antiphase domain / atomic force microscopy / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 31, SDM2010-31, pp. 75-79, 2010年5月. | |
| 資料番号 | SDM2010-31 | |
| 発行日 | 2010-05-06 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-31 CPM2010-21 SDM2010-31 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM CPM ED |
| 開催期間 | 2010-05-13 - 2010-05-14 |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松キャンパス） |
| 開催地（英） | Shizuoka University (Hamamatsu Campus) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-05-SDM-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface morphology at initial growth stage of GaP grown on Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | GaP / GaP |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン基板 / Si substrate |
| キーワード(4)（和/英） | アンチフェイズドメイン / antiphase domain |
| キーワード(5)（和/英） | 原子間力顕微鏡 / atomic force microscopy |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 泰 / Yasushi Takano / タカノ ヤスシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 洋毅 / Hiroki Yamada / ヤマダ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 見崎 龍 / Ryu Misaki / ミサキ リュウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 達也 / Tatsuya Takagi / タカギ タツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福家 俊郎 / Shunro Fuke / フケ シュンロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-05-14 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2010-31, CPM2010-21, SDM2010-31 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.29(ED), no.30(CPM), no.31(SDM) |
| ページ範囲 | pp.75-79 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-05-06 (ED, CPM, SDM) |
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