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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-05-14 11:55 MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究 ～ Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討 ～ ○後藤達彦・江川 鍛・小川博久・土用下尚外・福田浩幸・犬塚博章・舘 忠裕・藤村直也・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大）  ED2010-29 CPM2010-19 SDM2010-29 |
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| 抄録 | （和） | 有機金属気相成長法によりSi基板上に成長した厚膜CdTe単結晶層を用いた、大面積Ｘ線・γ線画像検出器の開発を目的として研究を行っている。これまで検出器の製作では、Si基板上のCdTe成長層に部分的な剥離や、多結晶化、電気特性の不均一等が発生する場合があり、これらの防止とその改善が課題であった。これらの問題はCdTe成長に先立って実施する、Si基板の成長前処理(GaAs処理)に原因があると考えられるのでその改善を図った。GaAs処理の改善後、CdTe成長層の剥離は防止でき、Si基板上全面で高品質の単結晶CdTe層が成長可能となった。p-CdTe/n-CdTe/n+-Si構造の成長層をダイシングし、ダイオードアレイを試作した。その結果、ダイシング時にもCdTe層の剥離は発生せず、CdTeとSiの結合状態も改善されていることが分かった。またアレイ内のダイオードについて電流-電圧特性を測定したところ、場所によらず均一なダイオード特性を確認できた。 |
| （英） | We are studying MOVPE growth of thick CdTe layers on Si substrates for x-ray, gamma ray detector development. The grown layers occasionally exhibited poor uniformity in electrical property and also partial peeling. In order to avoid this problem, we reexamined Si substrates pre-treatment conditions, which are carried in a separate chamber by heating them together with a GaAs substrate in a hydrogen environment. CdTe layers with good uniformity and substrate adhesion were obtained with this improved substrate pre-treatment condition. This was confirmed by successfully fabricating a p-CdTe/n-CdTe/n+-Si detector array by dicing the CdTe layers in a 1.5mm pitch. | |
| キーワード | （和） | MOVPE / GaAs / Si基板上のCdTe / アレイ / / / / |
| （英） | MOVPE / GaAs / CdTe on Si substrate / Array / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 29, ED2010-29, pp. 65-68, 2010年5月. | |
| 資料番号 | ED2010-29 | |
| 発行日 | 2010-05-06 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-29 CPM2010-19 SDM2010-29 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM CPM ED |
| 開催期間 | 2010-05-13 - 2010-05-14 |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松キャンパス） |
| 開催地（英） | Shizuoka University (Hamamatsu Campus) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-05-SDM-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究 |
| サブタイトル（和） | Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討 |
| タイトル（英） | Study of Large Area CdTe X-ray and γ-ray Imaging Detectors Grown by MOVPE |
| サブタイトル（英） | Study of growth condition for high quality CdTe/Si layer |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | Si基板上のCdTe / CdTe on Si substrate |
| キーワード(4)（和/英） | アレイ / Array |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 達彦 / Tatsuhiko Goto / ゴトウ タツヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute Of Technology (略称： Nagoya Inst. Of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 鍛 / Kitau Egawa / エガワ キタウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute Of Technology (略称： Nagoya Inst. Of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 博久 / Hirohisa Ogawa / ドヨウシタ ヒサト |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute Of Technology (略称： Nagoya Inst. Of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土用下 尚外 / Hisato Doyoshita / ドヨウシタ ヒサト |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute Of Technology (略称： Nagoya Inst. Of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 浩幸 / Hiroyuki Fukuta / フクタ ヒロユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute Of Technology (略称： Nagoya Inst. Of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 犬塚 博章 / Hiroaki Inuzuka / イヌヅカ ヒロアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute Of Technology (略称： Nagoya Inst. Of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舘 忠裕 / Tadahiro Tachi / タチ タダヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute Of Technology (略称： Nagoya Inst. Of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤村 直也 / Naoya Fujimura / フジムラ ナオヤ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute Of Technology (略称： Nagoya Inst. Of Tech.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安形 保則 / Yasunori Agata / アガタ ヤスノリ |
| 第9著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute Of Technology (略称： Nagoya Inst. Of Tech.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | ニラウラ マダン / Madan Niraula / ニラウラ マダン |
| 第10著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute Of Technology (略称： Nagoya Inst. Of Tech.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安田 和人 / Kazuhito Yasuda / ヤスダ カズヒト |
| 第11著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute Of Technology (略称： Nagoya Inst. Of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-05-14 11:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-29, CPM2010-19, SDM2010-29 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.29(ED), no.30(CPM), no.31(SDM) |
| ページ範囲 | pp.65-68 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-05-06 (ED, CPM, SDM) |
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