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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-05-14 14:20 Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 ○田中誠造・野口健太・山根啓輔・出口裕輝・古川雄三・岡田 浩・若原昭浩・米津宏雄（豊橋技科大）  ED2010-32 CPM2010-22 SDM2010-32 |
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| 抄録 | （和） | 発光機能を有するモノリシック光電子集積回路(OEIC)の実現を目的として，Si/III-V-N/Si構造を用い，LEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路を製作した．製作には，Si/III-V-N/Si構造に向けた半導体作製プロセスを用い，III-V-N層にGaPNによるLED，Si成長層にp-MOSFETによる1ビットカウンタ回路を形成した．電源電圧6.2Vにおいて1ビットカウンタ回路の動作およびLEDインジケータの点滅動作を確認した．Si/III-V-N/Si構造を用いた発光機能を有するモノリシックOEICの製作に成功したといえる． |
| （英） | We fabricated of 1-bit counter circuit with light-emitting diode (LED) indicators using semiconductor process technology for a Si/III-V-N/Si structure. This circuit was designed with p-type metal oxide semiconductor field effect transistors and LEDs. As a result , the 1-bit counter circuit was normally operated at a driving voltage of 6.2 V. The light emission from LED indicators were synchronized with the input and output signals of the 1-bit counter circuit. These results imply that the Si-based digital circuit and III-V-N-based LEDs can be monolithically integrated a single chip. | |
| キーワード | （和） | Si / OEIC / GaPN / Si/III-V-N/Si構造 / 光インターコネクション / モノリシック / / |
| （英） | Si / OEIC / GaPN / Si/III-V-N/Si structure / monolithic / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 31, SDM2010-32, pp. 81-85, 2010年5月. | |
| 資料番号 | SDM2010-32 | |
| 発行日 | 2010-05-06 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-32 CPM2010-22 SDM2010-32 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM CPM ED |
| 開催期間 | 2010-05-13 - 2010-05-14 |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松キャンパス） |
| 開催地（英） | Shizuoka University (Hamamatsu Campus) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-05-SDM-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of 1-bit counter circuit with LED indicator using Si/III-V-N/Si structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | OEIC / OEIC |
| キーワード(3)（和/英） | GaPN / GaPN |
| キーワード(4)（和/英） | Si/III-V-N/Si構造 / Si/III-V-N/Si structure |
| キーワード(5)（和/英） | 光インターコネクション / monolithic |
| キーワード(6)（和/英） | モノリシック / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 誠造 / Seizo Tanaka / タナカ セイゾウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 健太 / Kenta Noguchi / ノグチ ケンタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山根 啓輔 / Keisuke Yamane / ヤマネ ケイスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 出口 裕輝 / Yuki Deguchi / デグチ ユウキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古川 雄三 / Yuzo Furukawa / フルカワ ユウゾウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 米津 宏雄 / Hiroo Yonezu / ヨネズ ヒロオ |
| 第8著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-05-14 14:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2010-32, CPM2010-22, SDM2010-32 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.29(ED), no.30(CPM), no.31(SDM) |
| ページ範囲 | pp.81-85 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-05-06 (ED, CPM, SDM) |
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