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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-17 13:00 InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長 ○岩杉達矢・カマセ サラ・角田 梓・中谷公彦・森 雅之・前澤宏一（富山大）  ED2010-33 |
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| 抄録 | （和） | 我々はこれまでに、Si(111)基板上へInSb単分子層を介してInSb薄膜を2段階成長させると、Siに対してInSbの結晶が30°回転し、結晶性や電気的特性を改善できること事を確認している。しかし現在は、Si(100)基板が主流となっており、その上に良質なInSbを成長させる事が出来れば効果は大きい。そこで、Si(100)基板表面上にV溝型(111)面を作製する事で、Si(100)基板上でSi(111)基板と同様の成果を得ることが出来るのではないかと考え、作製したV溝型(111)面上への高品質なInSb薄膜の成長を試みた。 |
| （英） | We have reported that InSb films grown on a Si(111) substrate with InSb bi-layer rotate by 30° degree with respect to Si surface. The InSb films have good crystal quality and electric properties. However, Si(001) surface has mainly used to fabricate semiconductor devices. So, to realize the high quality InSb films on Si(001) is useful for semiconductor industry. If V-grooved (111) surfaces were prepared on the Si(001) substrate, high quality InSb films can be grown with the InSb bi-layer. In this paper, we report the growth of InSb films on V-grooved Si(001) substrate. | |
| キーワード | （和） | V溝型(111)面 / InSb単分子層 / / / / / / |
| （英） | V-grooved (111) surface / InSb bi-layer / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 80, ED2010-33, pp. 1-4, 2010年6月. | |
| 資料番号 | ED2010-33 | |
| 発行日 | 2010-06-10 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-33 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2010-06-17 - 2010-06-18 |
| 開催地（和） | 北陸先端大 |
| 開催地（英） | JAIST |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | Process and device technology of semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of InSb films on the V-grooved Si(001) substrate with InSb bi-layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | V溝型(111)面 / V-grooved (111) surface |
| キーワード(2)（和/英） | InSb単分子層 / InSb bi-layer |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩杉 達矢 / Tatsuya Iwasugi / イワスギ タツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | カマセ サラ / Sara Khamseh / カマセ サラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角田 梓 / Azusa Kadoda / カドダ アズサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中谷 公彦 / Kimihiko Nakatani / ナカタニ キミヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 雅之 / Masayuki Mori / モリ マサユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前澤 宏一 / Koichi Maezawa / マエザワ コウイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-17 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-33 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.80 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-06-10 (ED) |
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