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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-17 15:50 AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響 ○東脇正高（NICT/JST/カリフォルニア大）・Srabanti Chowdhury・Brian L. Swenson・Umesh K. Mishra（カリフォルニア大）  ED2010-39 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaNヘテロ構造のAlGaN表面バリアハイトに対するアニールプロセス中に起こる表面酸化の影響を、ホール測定およびX線光電子分光（XPS）により調べた。 % 二次元電子ガス濃度のAlGaN膜厚依存性およびXPSスペクトルの両方の実験結果から、800{${\rm {}^{\circ}\mbox{C}}$}でアニールしたサンプルにおいては、AlGaN障壁層厚によらず一定の表面バリアハイトが得られた。 % 一方、ノンアニールおよび400{${\rm {}^{\circ}\mbox{C}}$}でアニールしたサンプルでは障壁層厚に比例して表面バリアハイトが増大した。 % また、Al--O結合に起因するXPSピーク強度が、400{${\rm {}^{\circ}\mbox{C}}$}ではアニール前とほとんど変わらないが、800{${\rm {}^{\circ}\mbox{C}}$}アニール後では雰囲気ガスの種類によらず増大し、また短時間で飽和した。 % これらの実験結果およびその相関から、AlGaN表面に形成されるAl酸化物の構造が表面ドナーのエネルギー分布、密度に大きな影響を与えていることが考えられる。 |
| （英） | We investigated effects of surface oxidation by annealing during device process on AlGaN surface barrier height of AlGaN/GaN heterostructures by Hall measurement and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). % From AlGaN thickness dependence of two-dimensional electron gas density and XPS analysis, a constant surface barrier height regardless of AlGaN thickness was obtained for the samples annealed at 800{${\rm {}^{\circ}\mbox{C}}$}. % On the other hand, the samples annealed at 400{${\rm {}^{\circ}\mbox{C}}$} showed a proportional increase in the height with the thickness. % Moreover, XPS peak intensity related to Al--O bonding significantly increased after annealing at 800{${\rm {}^{\circ}\mbox{C}}$} regardless of atmosphere and saturated in a short time, even though it changed little after annealing at 400{${\rm {}^{\circ}\mbox{C}}$} compared with before annealing. % We consider from the experimental results and their correlation that Al oxide structure formed on the AlGaN surface significantly affects energy distribution and density of surface donors. |
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| キーワード | （和） | GaN / AlGaN / 表面バリア / X線光電子分光 / / / / |
| （英） | GaN / AlGaN / surface barrier / x-ray photoelectron spectroscopy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 80, ED2010-39, pp. 31-35, 2010年6月. | |
| 資料番号 | ED2010-39 | |
| 発行日 | 2010-06-10 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-39 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2010-06-17 - 2010-06-18 |
| 開催地（和） | 北陸先端大 |
| 開催地（英） | JAIST |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | Process and device technology of semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of surface oxidation during device processing on surface barrier height of AlGaN/GaN HFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | 表面バリア / surface barrier |
| キーワード(4)（和/英） | X線光電子分光 / x-ray photoelectron spectroscopy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東脇 正高 / Masataka Higashiwaki / ヒガシワキ マサタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構/科学技術振興機構 さきがけ/カリフォルニア大サンタバーバラ校 (略称： NICT/JST/カリフォルニア大) National Institute of Information and Communications Technology/JST PRESTO/University of California, Santa Barbara (略称： NICT/JST/UCSB) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Srabanti Chowdhury / Srabanti Chowdhury / |
| 第2著者 所属（和/英） | カリフォルニア大サンタバーバラ校 (略称： カリフォルニア大) University of California, Santa Barbara (略称： UCSB) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Brian L. Swenson / Brian L. Swenson / |
| 第3著者 所属（和/英） | カリフォルニア大サンタバーバラ校 (略称： カリフォルニア大) University of California, Santa Barbara (略称： UCSB) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Umesh K. Mishra / Umesh K. Mishra / |
| 第4著者 所属（和/英） | カリフォルニア大サンタバーバラ校 (略称： カリフォルニア大) University of California, Santa Barbara (略称： UCSB) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-17 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-39 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.80 |
| ページ範囲 | pp.31-35 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-06-10 (ED) |
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