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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-18 10:25 微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析 ○板垣陽介・浅川澄人・新屋秀秋・斉藤光史・須原理彦（首都大東京）  ED2010-43 |
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| 抄録 | （和） | 共鳴トンネルダイオード(RTD)は、原理的にはTHz領域まで微分負性抵抗(NDR)を得られる能動デバイスである。しかし、寄生的な抵抗、インダクタンス、キャパシタンス成分は動作周波数の上限を定めるばかりではなくRTD出力に不要な緩和振動を生じる場合もある。本研究は、RTDを電源部分も含めた等価回路でモデリングし、安定化回路を付与することによって、この緩和振動を抑制可能な条件を理論的に明らかにすることを目的とした。特に、安定化回路にショットキーバリアダイオードを採用した場合と、抵抗を採用した場合とで緩和振動抑制条件にどのような違いがあるのかを考察した。また、緩和振動が定常的な動作点まで収束する緩和時間の大きさについても考察を行った。 |
| （英） | A resonant tunneling diode (RTD) is an active device with negative differential resistance operating up to THz region in principle. However, parasitic resistances, inductances and capacitances determine not only a limit of operating frequency but also condition of relaxation oscillations in output of RTD. A purpose of this paper is to clarify the condition suppressing the relaxation oscillation by modeling RTD with an equivalent circuit of RTD including DC supply and a stabilizer circuit. Especially, we analyze the difference of characteristics between schottky barrier diode and a resistance employed as the stabilizer circuit. In addition, relaxation time toward a steady operating point is also investigated. | |
| キーワード | （和） | 共鳴トンネルダイオード / 安定化回路 / 位相空間 / 緩和振動 / 微分負性抵抗 / / / |
| （英） | Resonant tunneling diode / Stabilizer Circuit / Phase space / Relaxation oscillation / Negative differential resistance / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 80, ED2010-43, pp. 53-58, 2010年6月. | |
| 資料番号 | ED2010-43 | |
| 発行日 | 2010-06-10 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2010-06-17 - 2010-06-18 |
| 開催地（和） | 北陸先端大 |
| 開催地（英） | JAIST |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | Process and device technology of semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical analysis of operating conditions to suppress relaxation oscillations in Resonant Tunneling Diode biased at negative differential resistance region |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード / Resonant tunneling diode |
| キーワード(2)（和/英） | 安定化回路 / Stabilizer Circuit |
| キーワード(3)（和/英） | 位相空間 / Phase space |
| キーワード(4)（和/英） | 緩和振動 / Relaxation oscillation |
| キーワード(5)（和/英） | 微分負性抵抗 / Negative differential resistance |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 板垣 陽介 / Yosuke Itagaki / イタガキ ヨウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： Tokyo Metro.Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅川 澄人 / Kiyoto Asakawa / アサカワ キヨト |
| 第2著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： Tokyo Metro.Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新屋 秀秋 / Hideaki Shin-ya / シンヤ ヒデアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： Tokyo Metro.Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斉藤 光史 / Mitsufumi Saito / サイトウ ミツフミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： Tokyo Metro.Univ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須原 理彦 / Michihiko Suhara / スハラ ミチヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： Tokyo Metro.Univ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-18 10:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-43 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.80 |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-06-10 (ED) |
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