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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-18 11:25 欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去 ○高橋昌男・東 裕子・成田比呂晃・岩佐仁雄・小林 光（阪大/JST）  ED2010-45 |
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| 抄録 | （和） | 1ppmの極めて稀薄なHCN水溶液を用いた5分間の洗浄で、SiO_{2}表面上の汚染銅（10^{12}－10^{13}原子/cm^{2}オーダ）を全反射蛍光X線分析装置の検出下限（3×10^{9}原子/cm^{2}）以下まで除去できる。2.7ppmの洗浄溶液では、2分以下の洗浄で汚染銅が除去できる。HCN水溶液の洗浄能力は、シアン化物イオン（CN^{－}イオン）が非常に安定な銅シアノ錯イオンを形成して汚染銅を除去し、再付着が生じないことによる。全反射配置のXANESスペクトルと蛍光X線強度の励起X線入射角度依存性の測定より、Cu_{2}OやCu(OH)_{2}類似の化学状態を持つ1×10^{10}原子/cm^{2}の濃度の汚染銅がSiO_{2}表面上に付着していると結論した。ベアシリコン上の汚染銅の場合は、pHを9以下に調節した270ppmのHCN水溶液を用いることで、表面のエッチングや荒れを生じることなく、5分間で3×10^{9}原子/cm^{2}以下まで銅を除去できる。 |
| （英） | Dilute HCN aqueous solutions with a concentration of 1ppm can remove Cu contaminants of 10^{12}~10^{13} atomc/cm^{2} concentrations on SiO_{2} surfaces to a concentration below ~3×10^{9} atoms/cm^{2} taking 5 min. The high cleaning ability of HCN aqueous solutions is attributable to the high reactivity of CN^{－} ions to form metal-cyano complex ions with a high stability constant in aqueous solutions, leading to prevention of re-adsorption. It has been found, from XANES spectra and the incidence angle dependence of total reflection X-ray fluorescence intensity, that Cu contaminants with a 1×10^{10} atoms/cm^{2} concentration resemble to Cu_{2}O and Cu(OH)_{2}. In the case of bare silicon substrates, Cu contaminants can be removed without etching and roughening surfaces by adjusting pH of HCN aqueous solutions below 9. | |
| キーワード | （和） | 洗浄 / シアン化水素 / シアン化法 / 表面 / 化学状態 / XANES / 全反射蛍光X線 / |
| （英） | Cleaning / Cyanide method / Hydrogen cyanide / Surfaces / Chemical state / XANES / TXRF / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 80, ED2010-45, pp. 63-68, 2010年6月. | |
| 資料番号 | ED2010-45 | |
| 発行日 | 2010-06-10 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2010-06-17 - 2010-06-18 |
| 開催地（和） | 北陸先端大 |
| 開催地（英） | JAIST |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | Process and device technology of semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Removal of Cu contaminants on silicon material surfaces by defect passivation etchless cleaning solutions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 洗浄 / Cleaning |
| キーワード(2)（和/英） | シアン化水素 / Cyanide method |
| キーワード(3)（和/英） | シアン化法 / Hydrogen cyanide |
| キーワード(4)（和/英） | 表面 / Surfaces |
| キーワード(5)（和/英） | 化学状態 / Chemical state |
| キーワード(6)（和/英） | XANES / XANES |
| キーワード(7)（和/英） | 全反射蛍光X線 / TXRF |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 昌男 / Masao Takahashi / タカハシ マサオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学/CREST-JST (略称： 阪大/JST) Osaka University/CREST-JST (略称： Osaka Univ/JST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 裕子 / Yuko Higashi / ヒガシ ユウコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学/CREST-JST (略称： 阪大/JST) Osaka University/CREST-JST (略称： Osaka Univ/JST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成田 比呂晃 / Hiroaki Narita / ナリタ ヒロアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学/CREST-JST (略称： 阪大/JST) Osaka University/CREST-JST (略称： Osaka Univ/JST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩佐 仁雄 / Hitoo Iwasa / イワサ ヒトオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学/CREST-JST (略称： 阪大/JST) Osaka University/CREST-JST (略称： Osaka Univ/JST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 光 / Hikaru Kobayashi / コバヤシ ヒカル |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学/CREST-JST (略称： 阪大/JST) Osaka University/CREST-JST (略称： Osaka Univ/JST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-18 11:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-45 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.80 |
| ページ範囲 | pp.63-68 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-06-10 (ED) |
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