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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-18 10:00 InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析 ○本間嵩広・渡邉久巨・原 紳介・藤代博記（東京理科大）  ED2010-42 |
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| 抄録 | （和） | ポストSi MOSFETとして，Siよりも有効質量が小さく高い電子移動度を示すIII-V族化合物半導体をチャネル材料に用いたデバイスが検討されている．本稿では，量子補正モンテカルロ法を用いて，InGaAsをチャネル材料に用いたMOSFET（InGaAs-channel MOSFET）の電子輸送現象が駆動電流におよぼす影響を理論的に解析し，バリスティック限界の見積もりを行った． |
| （英） | Because of higher carrier mobility owing to small effective mass, III-V compound semiconductors have been attracted much attention as possible channel materials to realize next generation devices for the post-Si MOSFET. In this paper, we theoretically investigate the carrier transport phenomena that determine the drive current in the nano-scale InGaAs-channel MOSFETs by using the quantum corrected Monte Carlo method. | |
| キーワード | （和） | InGaAs / MOSFET / 後方散乱 / 量子補正モンテカルロ法 / 準バリスティック輸送 / / / |
| （英） | InGaAs / MOSFET / Backscattering / Quantum-corrected Monte Carlo simulation / Quasi-ballistic transport / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 80, ED2010-42, pp. 47-52, 2010年6月. | |
| 資料番号 | ED2010-42 | |
| 発行日 | 2010-06-10 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-42 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2010-06-17 - 2010-06-18 |
| 開催地（和） | 北陸先端大 |
| 開催地（英） | JAIST |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | Process and device technology of semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Analysis of Carrier Transport in Nano-Scale InGaAs-Channel MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 後方散乱 / Backscattering |
| キーワード(4)（和/英） | 量子補正モンテカルロ法 / Quantum-corrected Monte Carlo simulation |
| キーワード(5)（和/英） | 準バリスティック輸送 / Quasi-ballistic transport |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本間 嵩広 / Takahiro Homma / ホンマ タカヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 久巨 / Hisanao Watanabe / ワタナベ ヒサナオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 紳介 / Shinsuke Hara / ハラ シンスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤代 博記 / Hiroki I. Fujishiro / フジシロ ヒロキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-18 10:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-42 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.80 |
| ページ範囲 | pp.47-52 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-06-10 (ED) |
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