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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-22 09:55 原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発 ○右田真司・森田行則・太田裕之（産総研）  SDM2010-34 |
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| 抄録 | （和） | 平面型トランジスタの微細化限界を打破するデバイス構造として，シリコンナノワイヤ トランジスタが注目を集めている．このトランジスタを実用化する上での最大の課題は，デバイス構造の各部を1 nm以下の高精度で製作する要素技術の確立である．我々は原子スケールの構造制御技術の確立を目標に，シリコンナノワイヤの整形加工技術ならびに低抵抗ソース・ドレイン形成技術の研究開発を行なっている．酸素エッチング法は酸素を用いてSi表面を原子層エッチングする方法であり，シリコンナノワイヤの高精度な細線化に実用できることを確認した．Si結晶との格子整合に優れたNiSi2のエピタキシャル膜を低温合成する方法を開発し，これをメタルソース・ドレイン構造として適用したトランジスタの性能を評価した．開発したこれらの技術は科学的根拠に基づいており，将来のVLSI製造技術としての十分な可能性を有している． |
| （英） | Process technology with atomic-scale precision is indispensable for fabrication of silicon nanowire MOSFETs. We present our developments of process technologies based on atomic-scale design concepts. The first is an O2 etching technology which enables atomic-layer etching of Si surface using active oxidation condition. The second is a metal source/drain technology using epitaxial NiSi2 films prepared by a low annealing temperature. Physics of these process technologies confirm their applicability in top-down style VLSI production fields. | |
| キーワード | （和） | シリコンナノワイヤ / トランジスタ / 酸素エッチング / 原子層エッチング / メタルソース・ドレイン / ニッケルシリサイド / エピタキシャル成長 / 成長自己停止作用 |
| （英） | Silicon Nanowire / MOSFET / O2 etching / atomic-layer etching / metal source and drain / nickel silicide / epitaxial growth / self-limiting growth | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-34, pp. 5-10, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-34 | |
| 発行日 | 2010-06-15 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-06-22 - 2010-06-22 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Silicon Nanowire MOSFETs through Atomic-Scale Design Concepts |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンナノワイヤ / Silicon Nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | トランジスタ / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 酸素エッチング / O2 etching |
| キーワード(4)（和/英） | 原子層エッチング / atomic-layer etching |
| キーワード(5)（和/英） | メタルソース・ドレイン / metal source and drain |
| キーワード(6)（和/英） | ニッケルシリサイド / nickel silicide |
| キーワード(7)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(8)（和/英） | 成長自己停止作用 / self-limiting growth |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 行則 / Yukinori Morita / モリタ ユキノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-22 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-34 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.90 |
| ページ範囲 | pp.5-10 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-06-15 (SDM) |
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