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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-06-22 10:45 SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討 ○茂森直登・佐藤創志・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大）  SDM2010-36 |
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| 抄録 | （和） | SiナノワイヤにおけるNiシリサイドはワイヤ形状や周囲の酸化膜の影響から、バルク基板との反応と異なった反応を示す。ワイヤ径や熱処理温度を変化させた実験を通じてシリサイド化の現象を調査し、シリサイド反応の抑制方法を提案する。また、SiナノワイヤにおけるNiシリサイド形成のサイズ効果を評価した。 |
| （英） | Ni silicide in the Si Nanowire shows a reaction different from the reaction with the bulk substrate from the influence of wire shape and a surrounding oxide. We investigate the phenomenon of making to silicide through the experiment that changes the wire diameter and the annealing temperature. And, we propose the method of controlling the Ni silicide reaction. In addition, the effect of the size of the Ni silicide formation in the Si Nanowire was evaluated. | |
| キーワード | （和） | Siナノワイヤ / Niシリサイド / Ni拡散の制御 / / / / / |
| （英） | Si nanowire / Nisilicide / Control of Ni diffusion / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-36, pp. 17-22, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-36 | |
| 発行日 | 2010-06-15 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-36 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-06-22 - 2010-06-22 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nickel silicide Encroachment in Silicon Nanowire and its Suppression |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Siナノワイヤ / Si nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | Niシリサイド / Nisilicide |
| キーワード(3)（和/英） | Ni拡散の制御 / Control of Ni diffusion |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 茂森 直登 / Naoto Shigemori / シゲモリ ナオト |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 創志 / Soshi Sato / サトウ ソウシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | パールハット アヘメト / Parhat Ahmet / パールハット アヘメト |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 彰 / Akira Nishiyama / ニシヤマ アキラ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名取 研二 / Kenji Natori / ナトリ ケンジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩井 洋 / Hiroshi Iwai / イワイ ヒロシ |
| 第10著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-06-22 10:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-36 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.90 |
| ページ範囲 | pp.17-22 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-06-15 (SDM) |
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