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講演抄録/キーワード
講演名 2010-06-22 14:10
High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係
安田哲二宮田典幸卜部友二石井裕之板谷太郎前田辰郎産総研)・山田 永福原 昇秦 雅彦住友化学)・大竹晃浩物質・材料研究機構)・星井拓也横山正史竹中 充高木信一東大SDM2010-42 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-42
抄録 (和) ゲート長が10 nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネルとしたnMISFETが関心を集めている.Inを含むIII-Vチャネル材料の上にALDによりAl2O3絶縁膜を形成した界面は,nMIS動作に必要なフェルミレベル変調を比較的容易に得ることができる.本報告では,界面準位の発生とそのエネルギーギャップ内の分布に影響を与える要因を整理した上で,界面におけるアニオンとカチオンの組成・結合状態とMIS特性との関係について議論する. 
(英) There has been a significant interest in the III-V channel MISFET technology which expectedly enables performance improvement and power reduction when the gate length is scaled down to sub-10 nm. Combination of In-containing III-V matertials and ALD-deposited Al2O3 forms MIS interfaces with relatively low interface trap densities, allowing for the nMIS operation. In this report, we first identify the factors that possibly influence the generation and energy distribution of the interface traps at the high-k/III-V interfaces. We then discuss how the MIS properties are related to the chemical compositions and bonding structures of anions and cations at the interface.
キーワード (和) III-Vチャネル / MISFET / 界面準位 / ALD / InGaAs / InP / Al2O3 /  
(英) III-Vchannel / MISFET / interface trap / ALD / InGaAs / InP / Al2O3 /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-42, pp. 49-54, 2010年6月.
資料番号 SDM2010-42 
発行日 2010-06-15 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2010-42 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-42

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2010-06-22 - 2010-06-22 
開催地(和) 東京大学(生産研An棟) 
開催地(英) An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Relationships among Interface Composition, Bonding Structures and MIS Properties at High-k/III-V Interfaces 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) III-Vチャネル / III-Vchannel  
キーワード(2)(和/英) MISFET / MISFET  
キーワード(3)(和/英) 界面準位 / interface trap  
キーワード(4)(和/英) ALD / ALD  
キーワード(5)(和/英) InGaAs / InGaAs  
キーワード(6)(和/英) InP / InP  
キーワード(7)(和/英) Al2O3 / Al2O3  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 安田 哲二 / Tetsuji Yasuda / ヤスダ テツジ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮田 典幸 / Noriyuki Miyata / ミヤタ ノリユキ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 卜部 友二 / Yuji Urabe / ウラベ ユウジ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 石井 裕之 / Hiroyuki Ishii / イシイ ヒロユキ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 板谷 太郎 / Taro Itatani / イタタニ タロウ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 辰郎 / Tatsuro Maeda / マエダ タツロウ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 永 / Hisashi Yamada / ヤマダ ヒサシ
第7著者 所属(和/英) 住友化学 (略称: 住友化学)
Sumitomo Chemical (略称: Sumitomo Chemical)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 福原 昇 / Noboru Fukuhara / フクハラ ノボル
第8著者 所属(和/英) 住友化学 (略称: 住友化学)
Sumitomo Chemical (略称: Sumitomo Chemical)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 秦 雅彦 / Masahiko Hata / ハタ マサヒコ
第9著者 所属(和/英) 住友化学 (略称: 住友化学)
Sumitomo Chemical (略称: Sumitomo Chemical)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 大竹 晃浩 / Akihiro Ohtake / オオタケ アキヒロ
第10著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science (略称: NIMS)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 星井 拓也 / Takuya Hoshii / ホシイ タクヤ
第11著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 正史 / Masafumi Yokoyama / ヨコヤマ マサフミ
第12著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹中 充 / Mitsuru Takenaka / タケナカ ミツル
第13著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 信一 / Shinichi Takagi / タカギ シンイチ
第14著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-06-22 14:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2010-42 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.90 
ページ範囲 pp.49-54 
ページ数
発行日 2010-06-15 (SDM) 


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