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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-07-01 11:10 ［招待講演］Stress and Surface Orientation Engineering in Scaled CMOSFETs Considering High-Field Carrier Transport ○Masumi Saitoh・Yukio Nakabayashi（Toshiba）・Ken Uchida（Tokyo Inst. of Tech.）・Toshinori Numata（Toshiba）  ED2010-79 SDM2010-80 |
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| 抄録 | （和） | We present the systematic study on the performance of short-channel and strained (100) and (110) n/pMOSFETs. Saturation drain current (Idsat) of short-channel (110) nFETs approaches (100) nFETs as a result of strong velocity saturation in (100) nFETs. Meanwhile, Idsat of short-channel (110) pFETs are still superior to (100) pFETs due to weaker velocity saturation than nFETs. Carrier velocity and Idsat increase by strain is determined not only by low-field mobility enhancement but also by the modulation of saturation velocity (vsat). It is found that vsat increases more by strain in smaller low-field mobility enhancement devices. As a result, velocity enhancement ratio of (100)/(110) n/pFETs converge in sub-30nm regime, because the difference of low-field enhancement ratio is compensated by vsat change. The superiority of (110) CMOS to (100) CMOS is maintained at highly-strained conditions. |
| （英） | We present the systematic study on the performance of short-channel and strained (100) and (110) n/pMOSFETs. Saturation drain current (Idsat) of short-channel (110) nFETs approaches (100) nFETs as a result of strong velocity saturation in (100) nFETs. Meanwhile, Idsat of short-channel (110) pFETs are still superior to (100) pFETs due to weaker velocity saturation than nFETs. Carrier velocity and Idsat increase by strain is determined not only by low-field mobility enhancement but also by the modulation of saturation velocity (vsat). It is found that vsat increases more by strain in smaller low-field mobility enhancement devices. As a result, velocity enhancement ratio of (100)/(110) n/pFETs converge in sub-30nm regime, because the difference of low-field enhancement ratio is compensated by vsat change. The superiority of (110) CMOS to (100) CMOS is maintained at highly-strained conditions. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | stress / strain / (110) / mobility / on-current / velocity saturation / ballistic / CMOS | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 110, SDM2010-80, pp. 125-129, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-80 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-79 SDM2010-80 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stress and Surface Orientation Engineering in Scaled CMOSFETs Considering High-Field Carrier Transport |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / stress |
| キーワード(2)（和/英） | / strain |
| キーワード(3)（和/英） | / (110) |
| キーワード(4)（和/英） | / mobility |
| キーワード(5)（和/英） | / on-current |
| キーワード(6)（和/英） | / velocity saturation |
| キーワード(7)（和/英） | / ballistic |
| キーワード(8)（和/英） | / CMOS |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 真澄 / Masumi Saitoh / サイトウ マスミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中林 幸雄 / Yukio Nakabayashi / ナカムラ ユキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 建 / Ken Uchida / ウチダ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沼田 敏典 / Toshinori Numata / ヌマタ トシノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-07-01 11:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2010-79, SDM2010-80 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.125-129 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
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