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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-07-02 10:10 ［招待講演］InAlN/GaN HEMT Structures on 4-in Silicon Grown by MOCVD ○Makoto Miyoshi・Shigeaki Sumiya・Mikiya Ichimura・Tomohiko Sugiyama・Sota Maehara・Mitsuhiro Tanaka（NGK）・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.）  ED2010-105 SDM2010-106 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | Lattice-matched In0.18Al0.82N/GaN HEMT structures were grown on 4-inch-diameter silicon substrates by MOCVD. The samples showed a good in-wafer uniformity of alloy composition, layer thicknesses, and 2DEG properties. A 2DEG density of higher than 2.5 × 1013/cm2 and a low sheet resistance of approximately 250 Ω/sq were achieved for the MOCVD epiwafers. The breakdown voltage of samples was also confirmed to be higher than 600 V for a sample with a total film thickness of 3 μm. HEMTs were successfully fabricated using the MOCVD epiwafers and exhibited good pinch-off characteristics. The maximum source–drain current density and the maximum extrinsic transconductance were measured to be approximately 0.7A/mm and 250 mS/mm, respectively, for 1.5-μm-gate-length HEMTs. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | HEMT / InAlN/GaN / MOCVD / 4-in Silicon / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 109, ED2010-105, pp. 241-244, 2010年6月. | |
| 資料番号 | ED2010-105 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-105 SDM2010-106 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InAlN/GaN HEMT Structures on 4-in Silicon Grown by MOCVD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | / InAlN/GaN |
| キーワード(3)（和/英） | / MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | / 4-in Silicon |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 (略称： 日本ガイシ) NGK Insulators, LTD. (略称： NGK) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角谷 茂明 / Shigeaki Sumiya / スミヤ シゲアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 (略称： 日本ガイシ) NGK Insulators, LTD. (略称： NGK) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 幹也 / Mikiya Ichimura / イチムラ ミキヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 (略称： 日本ガイシ) NGK Insulators, LTD. (略称： NGK) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 智彦 / Tomohiko Sugiyama / スギヤマ トモヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 (略称： 日本ガイシ) NGK Insulators, LTD. (略称： NGK) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前原 宋太 / Sota Maehara / マエハラ ソウタ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 (略称： 日本ガイシ) NGK Insulators, LTD. (略称： NGK) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 光浩 / Mitsuhiro Tanaka / タナカ ミツヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 (略称： 日本ガイシ) NGK Insulators, LTD. (略称： NGK) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-07-02 10:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-105, SDM2010-106 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.241-244 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
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