| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-07-02 12:50 Over 1GHz High-Speed Current Pulse Generation Circuit for Novel Nonvolatile Memory Cells ○Tetsuo Endoh・Yasuhiko Suzuki・Takuya Imamoto・Hyoungjun Na（Tohoku Univ.）  ED2010-114 SDM2010-115 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-114 SDM2010-115 |
|
| 抄録 | （和） | In this paper, a new 2 step program method is proposed to realize high speed and low power program operation for novel nonvolatile memory cells. Moreover, over 1GHz high-speed current pulse generation circuit is proposed which is capable of realizing the proposed 2 step program method. The operation of designed over 1GHz high-speed current pulse generation circuit with 90 nm CMOS process is investigated by HSPICE simulations. The proposed 2 step program method and the designed over 1GHz high-speed current pulse generation circuit with 90 nm CMOS process can be applied to all the novel nonvolatile memories on which the program operation is performed by injecting current, such as PRAM, RRAM, MRAM, STTRAM, and etc. |
| （英） | In this paper, a new 2 step program method is proposed to realize high speed and low power program operation for novel nonvolatile memory cells. Moreover, over 1GHz high-speed current pulse generation circuit is proposed which is capable of realizing the proposed 2 step program method. The operation of designed over 1GHz high-speed current pulse generation circuit with 90 nm CMOS process is investigated by HSPICE simulations. The proposed 2 step program method and the designed over 1GHz high-speed current pulse generation circuit with 90 nm CMOS process can be applied to all the novel nonvolatile memories on which the program operation is performed by injecting current, such as PRAM, RRAM, MRAM, STTRAM, and etc. | |
| キーワード | （和） | Current Pulse Generator / Nonvolatile Memory / STTRAM / MTJ / Drive Current Control / Pulse Width Control / / |
| （英） | Current Pulse Generator / Nonvolatile Memory / STTRAM / MTJ / Drive Current Control / Pulse Width Control / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 110, SDM2010-115, pp. 283-288, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-115 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-114 SDM2010-115 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-114 SDM2010-115 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Over 1GHz High-Speed Current Pulse Generation Circuit for Novel Nonvolatile Memory Cells |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Current Pulse Generator / Current Pulse Generator |
| キーワード(2)（和/英） | Nonvolatile Memory / Nonvolatile Memory |
| キーワード(3)（和/英） | STTRAM / STTRAM |
| キーワード(4)（和/英） | MTJ / MTJ |
| キーワード(5)（和/英） | Drive Current Control / Drive Current Control |
| キーワード(6)（和/英） | Pulse Width Control / Pulse Width Control |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 保彦 / Yasuhiko Suzuki / スズキ ヤスヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今本 拓也 / Takuya Imamoto / イマモト タクヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 羅 炯竣 / Hyoungjun Na / |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-07-02 12:50:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2010-114, SDM2010-115 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.283-288 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]