| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-07-02 10:50 Characterization of deep electron levels of AlGaN grown by MOVPE ○Kimihito Ooyama（Hokkaido Univ./SMM）・Katsuya Sugawara（Hokkaido Univ.）・Hiroyuki Taketomi・Hideto Miyake・Kazumasa Hiramatsu（Mie Univ.）・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ./JST）  ED2010-107 SDM2010-108 |
|
| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | Deep electronic levels of Al_xGa_{1-x}N (0.25 <x < 0.60) were investigated by using deep level transient spectroscopy (DLTS) and photocapacitance methods. Si-doped AlGaN layers were grown on AlN/sapphire template by metal-organic chemical vapor deposition. DLTS analysis using a sampling time window up to 100 s showed two dominant deep levels with activation energies (\DeltaE) larger than 1.0 eV in Al_xGa_{1-x}N with x= 0.25 and 0.37. The densities of these levels were larger than 1 x 10^16 cm^{-3}. For the Al_{0.60}Ga_{0.40}N sample, the deeper levels (\DeltaE > 1.5 eV) were detected by the photocapacitance measurement. The origin of the dominant deep level in AlGaN is related to defect complex including anti-site defects and divacancies. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | AlGaN / Schottky barrier / Deep level / DLTS / Photo-capacitance / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 109, ED2010-107, pp. 249-252, 2010年6月. | |
| 資料番号 | ED2010-107 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-107 SDM2010-108 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of deep electron levels of AlGaN grown by MOVPE |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | / Schottky barrier |
| キーワード(3)（和/英） | / Deep level |
| キーワード(4)（和/英） | / DLTS |
| キーワード(5)（和/英） | / Photo-capacitance |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大山 公士 / Kimihito Ooyama / オオヤマ キミヒト |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学/住友金属鉱山(株) (略称： 北大/住友金属鉱山) Hokkaido University/Sumitomo metal minig (略称： Hokkaido Univ./SMM) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菅原 克也 / Katsuya Sugawara / スガワラ カツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武富 浩幸 / Hiroyuki Taketomi / タケトミ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第4著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第6著者 所属（和/英） | 北海道大学/JST-CREST (略称： 北大/JST) Hokkaido University/JST-CREST (略称： Hokkaido Univ./JST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-07-02 10:50:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-107, SDM2010-108 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.249-252 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]