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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-07-02 10:00 レーザー、熱アニーリング後のドープSi膜の電気的活性化 野口 隆・○鈴木俊治（琉球大）  ED2010-85 SDM2010-86 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-85 SDM2010-86 |
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| 抄録 | （和） | ドープしたアモルファスSi膜に対して、RTA、レーザーアニールを施し有効な結晶化を行った。得られた膜の電気的（４探針法、ホール効果）、光学的特性（分光エリプソメトリ）を評価して、その対応を調べた。固相結晶化の場合、温度が高いほど結晶性が向上し、電気的特性が向上する。さらにレーザーによる溶融結晶化の場合、さらに結晶粒内の結晶性が向上し、非常に高い活性化率を示し、単結晶に近い特性が得られる。 |
| （英） | After excimer laser annealing (ELA) for heavily boron- or phosphorous-doped Si films, the relation between the conductivity and the crystallinity was studied compared with the result after furnace annealing (FA). The sheet resistance decreased with improving the crystallinity of the films. By optimizing the laser annealing condition, the Si films of 50 nm thickness show extremely low sheet resistance below 90 ohm/□ for phosphorus dose of 2e15 cm-2 and for boron dose of 5e15 cm-2. The effective activation rate for the doped Si film after ELA is comparable to the result for bulk single-crystalline Si under thermal equilibrium condition. ELA activation subsequently after heavily ion implantation is more effective than FA and is expected to source and drain or Si gate in CMOS TFTs as well as an electrode for pin sensor diode and for solar cell as a System on Panel (SoP) application. | |
| キーワード | （和） | （ポリ）シリコン薄膜 / 結晶化 / レーザーアニール / シート抵抗 / 電気的活性化 / 移動度 / (結晶)粒界 / 薄膜トランジスタ |
| （英） | polysilicon film / crystallization / laser annealing / sheet resistance / electrical activation / mobility / grain boundary / thin film transistor | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 110, SDM2010-86, pp. 149-153, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-86 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-85 SDM2010-86 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-85 SDM2010-86 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | レーザー、熱アニーリング後のドープSi膜の電気的活性化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Acivation behaviour for doped Si films after laser or furnace annealing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | （ポリ）シリコン薄膜 / polysilicon film |
| キーワード(2)（和/英） | 結晶化 / crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | レーザーアニール / laser annealing |
| キーワード(4)（和/英） | シート抵抗 / sheet resistance |
| キーワード(5)（和/英） | 電気的活性化 / electrical activation |
| キーワード(6)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(7)（和/英） | (結晶)粒界 / grain boundary |
| キーワード(8)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 隆 / Takashi Noguchi / ノグチ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. of Ryukyus) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 俊治 / Toshiharu Suzuki / スズキ トシハル |
| 第2著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. of Ryukyus) |
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| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2010-07-02 10:00:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2010-85, SDM2010-86 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.149-153 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
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