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| 講演名 | 2010-07-02 15:05 Impact of Floating Body type DRAM with the Vertical MOSFET ○Yuto Norifusa・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST）  ED2010-98 SDM2010-99 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-98 SDM2010-99 |
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| 抄録 | （和） | Several kinds of capacitor-less DRAM cells based on planar SOI-MOSFET technology have been proposed and researched to overcome the integration limit of the conventional DRAM. In this paper, we propose the Floating Body type DRAM with the Vertical MOSFET and discuss its basic operation using a 3-D device simulator. In contrast to previous planar SOI-MOSFET technology, the Floating Body type DRAM with the Vertical MOSFET achieves a cell area of 4F2 and its floating body cell by isolating the body from the substrate vertically by the bottom-electrode. Therefore, the necessity for a SOI substrate is eliminated. The basic memory operation of read, write, and erase for Vertical type 1 transistor (1T) DRAM is shown, and in addition, the retention and disturb characteristics of the Vertical type 1T-DRAM is discussed. |
| （英） | Several kinds of capacitor-less DRAM cells based on planar SOI-MOSFET technology have been proposed and researched to overcome the integration limit of the conventional DRAM. In this paper, we propose the Floating Body type DRAM with the Vertical MOSFET and discuss its basic operation using a 3-D device simulator. In contrast to previous planar SOI-MOSFET technology, the Floating Body type DRAM with the Vertical MOSFET achieves a cell area of 4F2 and its floating body cell by isolating the body from the substrate vertically by the bottom-electrode. Therefore, the necessity for a SOI substrate is eliminated. The basic memory operation of read, write, and erase for Vertical type 1 transistor (1T) DRAM is shown, and in addition, the retention and disturb characteristics of the Vertical type 1T-DRAM is discussed. |
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| キーワード | （和） | Vertical MOSFET / Floating Body type DRAM / 1T-DRAM / 4F2 / / / / |
| （英） | Vertical MOSFET / Floating Body type DRAM / 1T-DRAM / 4F2 / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 110, SDM2010-99, pp. 211-216, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-99 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-98 SDM2010-99 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-98 SDM2010-99 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of Floating Body type DRAM with the Vertical MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Vertical MOSFET / Vertical MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | Floating Body type DRAM / Floating Body type DRAM |
| キーワード(3)（和/英） | 1T-DRAM / 1T-DRAM |
| キーワード(4)（和/英） | 4F2 / 4F2 |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 則房 勇人 / Yuto Norifusa / ノリフサ ユウト |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学/JST-CREST (略称： 東北大/JST) Tohoku University/JST-CREST (略称： Tohoku Univ./JST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学/JST-CREST (略称： 東北大/JST) Tohoku University/JST-CREST (略称： Tohoku Univ./JST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-07-02 15:05:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2010-98, SDM2010-99 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.211-216 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
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