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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-07-02 12:00 The Analysis of Temperature Dependency of the Mobility In High-k/Metal Gate MOSFET and the Performance on its CMOS Inverter ○Takeshi Sasaki・Takuya Imamoto・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）  ED2010-92 SDM2010-93 |
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| 抄録 | （和） | As the integration density and capacitance of semiconductor devices have increased, high-dielectric (High-k) materials have attracted considerable attention. We investigated the dependence of threshold voltage (Vth) characteristics of the High-k/Metal Gate MOSFET on the temperature, in comparison to conventional SiON/Poly-Si Gate MOSFET. Two aspects including the Fermi level and the channel mobility in MOSFET are discussed in details. Furthermore, the influence of threshold voltage characteristics of the High-k/Metal Gate MOSFET on the logic threshold voltage (Vth-inv) of CMOS inverter is reported in this paper. |
| （英） | As the integration density and capacitance of semiconductor devices have increased, high-dielectric (High-k) materials have attracted considerable attention. We investigated the dependence of threshold voltage (Vth) characteristics of the High-k/Metal Gate MOSFET on the temperature, in comparison to conventional SiON/Poly-Si Gate MOSFET. Two aspects including the Fermi level and the channel mobility in MOSFET are discussed in details. Furthermore, the influence of threshold voltage characteristics of the High-k/Metal Gate MOSFET on the logic threshold voltage (Vth-inv) of CMOS inverter is reported in this paper. | |
| キーワード | （和） | High-k dielectric film / High-k/Metal Gate Stack / Mobility / CMOS / Inverter / / / |
| （英） | High-k dielectric film / High-k/Metal Gate Stack / Mobility / CMOS / Inverter / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 110, SDM2010-93, pp. 177-182, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-93 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-92 SDM2010-93 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Analysis of Temperature Dependency of the Mobility In High-k/Metal Gate MOSFET and the Performance on its CMOS Inverter |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | High-k dielectric film / High-k dielectric film |
| キーワード(2)（和/英） | High-k/Metal Gate Stack / High-k/Metal Gate Stack |
| キーワード(3)（和/英） | Mobility / Mobility |
| キーワード(4)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(5)（和/英） | Inverter / Inverter |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 健志 / Takeshi Sasaki / ササキ タケシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今本 拓也 / Takuya Imamoto / イマモト タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-07-02 12:00:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2010-92, SDM2010-93 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.177-182 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
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