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| 講演名 | 2010-07-02 12:45 Evaluation of 1/f Noise Characteristics in High-k/Metal Gate and SiON/Poly-Si Gate MOSFET ○Takuya Imamoto・Takeshi Sasaki・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）  ED2010-95 SDM2010-96 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-95 SDM2010-96 |
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| 抄録 | （和） | In this paper, we compare the 1/f noise characteristics of High-k/Metal Gate MOSFET and SiON/Poly-Si Gate MOSFET by measurement, and evaluate the time fluctuation of drive current. Specifically, we focus on the statistical distribution of the time fluctuations of drive current of High-k/Metal Gate MOSFET and SiON/Poly-Si Gate MOSFET. We have found new phenomena in the 1/f noise characteristics of SiON/Poly-Si Gate MOSFET in comparison with High-k/Metal Gate MOSFET. In the case of SiON/Poly-Si Gate MOSFET, as the gate width is narrowed, Power Spectrum Density (PSD) depends on 1/f2 that is the slope. Moreover, as the gate width is widened, PSD depends on 1/f and the value of PSD shifts lower. On the other hand, in the case of High-k/Metal Gate MOSFET, the value of PSD is much larger than that of SiON/Poly-Si Gate MOSFET. Moreover, there is no dependency of PSD on gate width. This result is a useful knowledge for future High-k/Metal Gate MOSFETs. |
| （英） | In this paper, we compare the 1/f noise characteristics of High-k/Metal Gate MOSFET and SiON/Poly-Si Gate MOSFET by measurement, and evaluate the time fluctuation of drive current. Specifically, we focus on the statistical distribution of the time fluctuations of drive current of High-k/Metal Gate MOSFET and SiON/Poly-Si Gate MOSFET. We have found new phenomena in the 1/f noise characteristics of SiON/Poly-Si Gate MOSFET in comparison with High-k/Metal Gate MOSFET. In the case of SiON/Poly-Si Gate MOSFET, as the gate width is narrowed, Power Spectrum Density (PSD) depends on 1/f2 that is the slope. Moreover, as the gate width is widened, PSD depends on 1/f and the value of PSD shifts lower. On the other hand, in the case of High-k/Metal Gate MOSFET, the value of PSD is much larger than that of SiON/Poly-Si Gate MOSFET. Moreover, there is no dependency of PSD on gate width. This result is a useful knowledge for future High-k/Metal Gate MOSFETs. | |
| キーワード | （和） | 1/f noise / MOSFET / High-k / Random Telegraph Signal (RTS) / / / / |
| （英） | 1/f noise / MOSFET / High-k / Random Telegraph Signal (RTS) / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 110, SDM2010-96, pp. 195-198, 2010年6月. | |
| 資料番号 | SDM2010-96 | |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-95 SDM2010-96 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2010-95 SDM2010-96 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2010-06-30 - 2010-07-02 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. Ookayama Campus |
| テーマ（和） | 第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010) |
| テーマ（英） | 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-06-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of 1/f Noise Characteristics in High-k/Metal Gate and SiON/Poly-Si Gate MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 1/f noise / 1/f noise |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | High-k / High-k |
| キーワード(4)（和/英） | Random Telegraph Signal (RTS) / Random Telegraph Signal (RTS) |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今本 拓也 / Takuya Imamoto / イマモト タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 健志 / Takeshi Sasaki / ササキ タケシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-07-02 12:45:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2010-95, SDM2010-96 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.109(ED), no.110(SDM) |
| ページ範囲 | pp.195-198 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-06-23 (ED, SDM) |
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