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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-07-08 14:30 ［招待講演］垂直磁気記録媒体のための擬似六方晶薄膜の開発 ○斉藤 伸・高橋 研（東北大）  MR2010-15 |
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| 抄録 | （和） | 実験室設置規模のX線回折装置により擬似六方晶薄膜中の積層欠陥の定量評価法を提案した．擬似六方晶構造とは(111)面配向面心立方構造，c面配向六法晶構造 (以下fcc，hcpと略記)，ならびにこれらの中間構造で配向面に平行に積層欠陥が導入された構造を指す．擬似六方晶薄膜のインプレーンX線回折プロファイルには，2本の回折線 (高角側: DH，低角側: DL) が現れる．構造因子によるとDHは結晶粒内の最密原子層の枚数に相当し積層欠陥の情報を含まない．一方でDLは3種類の最密原子層の枚数のアンバランスさを示す．そこで，これらの回折線の強度をローレンツ・偏光因子および原子散乱因子で補正した強度比を，積層欠陥の導入度合いを表す指標と定義した．本補正強度比は，完全hcp原子層積層では0.25，完全fcc原子層積層では0の理論値をとり，薄膜の膜厚や合金組成，格子定数に依存しない，擬似六方晶薄膜に普遍的な評価指標である．本評価方法を実際のスパッタ薄膜に適用した結果，遷移金属合金薄膜では価電子数「９」を境界として，それ以下に価電子数を減少させるとfcc(111)面に平行に積層欠陥が導入され，c面配向hcp構造に近づく傾向があることが明らかとなった．本評価方法は，垂直磁気記録媒体のシード層からCo基磁性層までの結晶質材料に適用できるため，迅速な材料・プロセス探索のために極めて有用である． |
| （英） | Measurement of the stacking faults (SFs) formed in a pseudo-hexagonal closed packed (pseudo-hcp) film is proposed using laboratory-scale X-ray diffractometer. The pseudo-hcp structure includes (111)-oriented face centered cubic (fcc), c-plane oriented hcp, and their mediate structures with the SFs. Diffractions from (11.0) and (10.0) planes, DH and DL, were observed in the in-plane X-ray diffraction (XRD) profiles of the pseudo-hcp materials. The structure factor revealed that DH and DL originates from the number of total atomic layers and the imbalance of the number of A, B, and C atomic layers, respectively. Therefore, the intensity ratio of DH to DL, corrected by Lorentz-polarization and atomic scattering factors (corrected IL/IH), is defined as the degree of SFs for pseudo-hcp materials from the stacking probability, independent of thickness, compositional atoms, and lattice constants. Theoretical values of the corrected IL/IH are 0.25 for perfect hcp stacking and 0 for perfect fcc stacking, and statistical calculations revealed that this index is very sensitive to the approach of perfect hcp stacking order rather than that of perfect fcc stacking order. By applying this evaluation to experimentally sputtered thin films, it was clarified that critical number of valence electron for fcc-hcp transition was found to be “9” for a transition-metal alloy thin film. Proposed evaluation is quite useful for material and process development of perpendicular recording media. | |
| キーワード | （和） | 積層欠陥 / 擬似六方晶 / インプレーンX線回折法 / 価電子数 / / / / |
| （英） | Stacking faults / Pseudo- hexagonal closed packed structure / In-plane XRD / Number of valence electron / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, 2010年7月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2010-07-01 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2010-15 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ITE-MMS MRIS |
| 開催期間 | 2010-07-08 - 2010-07-09 |
| 開催地（和） | 茨城大学 |
| 開催地（英） | Ibaraki Univ. |
| テーマ（和） | 媒体，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2010-07-MMS-MR |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 垂直磁気記録媒体のための擬似六方晶薄膜の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Pseudo-hcp Thin Films for Perpendicular Recording Media |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 積層欠陥 / Stacking faults |
| キーワード(2)（和/英） | 擬似六方晶 / Pseudo- hexagonal closed packed structure |
| キーワード(3)（和/英） | インプレーンX線回折法 / In-plane XRD |
| キーワード(4)（和/英） | 価電子数 / Number of valence electron |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斉藤 伸 / Shin Saito / サイトウ シン |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 研 / Migaku Takahashi / タカハシ ミガク |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-07-08 14:30:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2010-15 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.112 |
| ページ範囲 | pp.17-24 |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | 2010-07-01 (MR) |
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