講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-08-27 15:10
MOSダブルゲート/ CNTトランジスタを用いた論理回路の設計法 ○林 隆程・渡辺重佳(湘南工科大) SDM2010-148 ICD2010-63 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-148 ICD2010-63 |
抄録 |
(和) |
3入力以上に対応可能なMOSダブルゲート型トランジスタとCNT型トランジスタを用いたダブルゲート型トランジスタの再構成可能な論理回路構成法を提案し、MOS型、CNT型を組み合わせた方式も提案した。さらに、各回路の素子数、論理数、パターン面積も考察した。 |
(英) |
Reconfigurable logic for more than 3input based on MOS double gate / Carbon Nano Tube transistor has been newly proposed. Number of transistor and logic and pattern area has been estimated for the newly proposed design. |
キーワード |
(和) |
MOSダブルゲートトランジスタ / CNTトランジスタ / 再構成可能 / 論理回路 / / / / |
(英) |
MOS double gate transistor / CNT transistor / reconfigurable / logic circuit / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 182, SDM2010-148, pp. 131-136, 2010年8月. |
資料番号 |
SDM2010-148 |
発行日 |
2010-08-19 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2010-148 ICD2010-63 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-148 ICD2010-63 |
研究会情報 |
研究会 |
ICD SDM |
開催期間 |
2010-08-26 - 2010-08-27 |
開催地(和) |
札幌エルプラザ内男女共同参画センター |
開催地(英) |
Sapporo Center for Gender Equality |
テーマ(和) |
低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
テーマ(英) |
Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2010-08-ICD-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
MOSダブルゲート/ CNTトランジスタを用いた論理回路の設計法 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Circuit design of reconfigurable logic based on MOS double gate/Carbon Nano Tube transistor |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
MOSダブルゲートトランジスタ / MOS double gate transistor |
キーワード(2)(和/英) |
CNTトランジスタ / CNT transistor |
キーワード(3)(和/英) |
再構成可能 / reconfigurable |
キーワード(4)(和/英) |
論理回路 / logic circuit |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
林 隆程 / Takamichi Hayashi / ハヤシ タカミチ |
第1著者 所属(和/英) |
湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: Shonan Inst. of Tech.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe / ワタナベ シゲヨシ |
第2著者 所属(和/英) |
湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: Shonan Inst. of Tech.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2010-08-27 15:10:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2010-148, ICD2010-63 |
巻番号(vol) |
vol.110 |
号番号(no) |
no.182(SDM), no.183(ICD) |
ページ範囲 |
pp.131-136 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2010-08-19 (SDM, ICD) |
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