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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 小野 行徳 (NTT), 大西 克典 (九工大)
幹事補佐 野村 晋太郎 (筑波大)

集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 内山 邦男 (日立)
副委員長 吉本 雅彦 (神戸大), 濱崎 利彦 (日本TI)
幹事 広瀬 佳生 (富士通研), 鈴木 弘明 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 松岡 俊匡 (阪大), 竹内 健 (東大), 岡田 健一 (東工大)

日時 2010年 8月26日(木) 09:10 - 19:00
2010年 8月27日(金) 09:00 - 16:50
議題 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
会場名 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 
住所 札幌市北区北8条西3丁目 札幌エルプラザ
交通案内 JR札幌駅北口より徒歩5分
http://www.danjyo.sl-plaza.jp/information/index.html
会場世話人
連絡先
011-728-1222(会場)
他の共催 ◆IEEE SSCS Japan/Kansai Chapter共催
お知らせ ◎研究会初日終了後、懇親会を予定していますので御参加ください。
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

8月26日(木) 午前  要素回路技術
09:10 - 12:15
(1) 09:10-09:35 複数IPコア回路におけるスリープブロックの寄生容量を用いたチップ内電源共振雑音低減手法 SDM2010-124 ICD2010-39 金 鎮明名倉 徹東大)・高田英裕石橋孝一郎ルネサステクノロジ)・池田 誠浅田邦博東大
(2) 09:35-10:00 レプリカVCOゲインキャリブレーションを用いた適応電力型ワイドレンジトランシーバの開発 SDM2010-125 ICD2010-40 江渕剛志小松義英三浦成友千葉智子岩田 徹・○道正志郎吉河武文パナソニック
(3) 10:00-10:25 チョッパアンプを用いた電圧平均化フィードバックを適用した高精度オンチップRC発振器 SDM2010-126 ICD2010-41 徳永祐介崎山史朗道正志郎パナソニック
(4) 10:25-10:50 A 2.7mW 4th-Order Active Gm-RC Bandpass Filter with 60MHz Center Frequency and Digital/Analog Tuning Techniques SDM2010-127 ICD2010-42 Jingbo ShiTakayuki KonishiToru KashimuraShoichi MasuiTohoku Univ
  10:50-11:00 休憩 ( 10分 )
(5) 11:00-11:25 時間軸信号処理を用いたAD変換方式の検討 SDM2010-128 ICD2010-43 高山雅夫三木拓司道正志郎パナソニック
(6) 11:25-11:50 デジタルメモリ効果補正を用いた10bit-300MHzダブルサンプリングパイプラインADCの開発 SDM2010-129 ICD2010-44 三木拓司森江隆史尾関俊明道正志郎パナソニック
(7) 11:50-12:15 静的消費電流ゼロのプルアップ回路 SDM2010-130 ICD2010-45 上野達也山武
  12:15-13:00 昼食 ( 45分 )
8月26日(木) 午後  グリーン・コンピューティング
13:00 - 14:40
(8) 13:00-13:25 高スループットコンピューティング向け1Tbyte/s 1Gbit 3次元積層DRAMアーキテクチャ SDM2010-131 ICD2010-46 柳川善光小埜和夫小田部 晃関口知紀日立
(9) 13:25-13:50 エネルギー収支からみた細粒度電源制御技術の設計制約 ~ Power Gating編 ~ SDM2010-132 ICD2010-47 井上淳樹富士通研
(10) 13:50-14:15 エネルギー収支からみた細粒度電源制御技術の設計制約 ~ DVFS編 ~ SDM2010-133 ICD2010-48 井上淳樹富士通研
(11) 14:15-14:40 ペタスケールコンピュータ用128GFLOPS/58W SPARC64VIIIfxプロセッサの電力解析および電力削減手法 SDM2010-134 ICD2010-49 川辺幸仁富士通研)・岡野 廣菅 竜二吉田利雄山崎 巌櫻井仁士本藤幹雄松井宣幸山下英男中田達己丸山拓巳浅川岳夫富士通
  14:40-14:50 休憩 ( 10分 )
8月26日(木) 午後  MEMS技術
14:50 - 19:00
(12) 14:50-15:40 [招待講演]MEMS/BEANSが可能にするグリーンテクノロジー SDM2010-135 ICD2010-50 三木則尚慶大/BEANS
(13) 15:40-16:30 [招待講演]マイクロエネルギーシステムに向けたMEMS技術の展開 SDM2010-136 ICD2010-51 鈴木雄二東大
(14) 16:30-17:20 [招待講演]光ファイバ給電による広域センサネットワーク SDM2010-137 ICD2010-52 田中洋介黒川隆志東京農工大
  17:20-17:30 休憩 ( 10分 )
(15) 17:30-19:00 「VLSI-MEMS融合で拓くグリーンテクノロジ」
オーガナイザ&モデレータ:三田吉郎(東大)
パネリスト:三木則尚(慶大)、鈴木雄二(東大)、
田中洋介(農工大)、竹内 健(東大)、平本俊郎(東大)
8月27日(金) 午前  SSD
09:00 - 11:05
(16) 09:00-09:25 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法 SDM2010-138 ICD2010-53 田中丸周平東大)・江角 淳伊東充吉李 凱シグリード)・竹内 健東大
(17) 09:25-09:50 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD SDM2010-139 ICD2010-54 宮地幸祐野田晋司畑中輝義東大)・高橋光恵酒井滋樹産総研)・竹内 健東大
(18) 09:50-10:15 NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD) SDM2010-140 ICD2010-55 畑中輝義石田光一安福 正東大)・宮本晋示中井弘人東芝)・高宮 真桜井貴康竹内 健東大
(19) 10:15-11:05 [招待講演]実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発 SDM2010-141 ICD2010-56 前田展秀金 永ソク東大)・彦坂幸信恵下 隆富士通セミコンダクター)・北田秀樹藤本興治東大)・水島賢子富士通研)・鈴木浩助大日本印刷)・中村友二富士通研)・川合章仁荒井一尚ディスコ)・大場隆之東大
  11:05-11:15 休憩 ( 10分 )
8月27日(金) 午前  エマージングメモリ
11:15 - 12:30
(20) 11:15-11:40 [依頼講演] Top-pinned構造を用いた高密度1T/1MTJセルスピン注入型MRAM 李 永ミン吉田親子角田浩司梅原慎二郎青木正樹杉井寿博富士通研
(21) 11:40-12:05 ユニバーサルメモリを目指した積層型MRAMの研究 SDM2010-142 ICD2010-57 玉井翔人渡辺重佳湘南工科大
(22) 12:05-12:30 酸化物導電膜チャネルを用いた積層型FeRAMの検討 SDM2010-143 ICD2010-58 菅野孝一渡辺重佳湘南工科大
  12:30-13:20 昼食 ( 50分 )
8月27日(金) 午後  高信頼技術
13:20 - 15:00
(23) 13:20-13:45 DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析 SDM2010-144 ICD2010-59 平本俊郎鈴木 誠更屋拓哉清水 健東大)・西田彰男蒲原史朗竹内 潔最上 徹MIRAI-Selete
(24) 13:45-14:10 プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 SDM2010-145 ICD2010-60 宮地幸祐田中丸周平本田健太郎東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健東大
(25) 14:10-14:35 A 65nm Bistable Cross-coupled Dual Modular Redundancy Flip-Flop Capable of Protecting Soft Errors on the C-element SDM2010-146 ICD2010-61 Jun FurutaKyoto Univ.)・Chikara Hamanaka・○Kazutoshi KobayashiKyoto Inst. of Tech.)・Hidetoshi OnoderaKyoto Univ.
(26) 14:35-15:00 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用 SDM2010-147 ICD2010-62 井口智明丸亀孝生棚本哲史杉山英行石川瑞恵斉藤好昭東芝
  15:00-15:10 休憩 ( 10分 )
8月27日(金) 午後  デバイス
15:10 - 16:50
(27) 15:10-15:35 MOSダブルゲート/ CNTトランジスタを用いた論理回路の設計法 SDM2010-148 ICD2010-63 林 隆程渡辺重佳湘南工科大
(28) 15:35-16:00 SGTを用いたシステムLSIのパターン設計法 SDM2010-149 ICD2010-64 小玉貴大渡辺重佳湘南工科大
(29) 16:00-16:25 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 SDM2010-150 ICD2010-65 水谷朋子東大)・角村貴昭MIRAI-Selete)・Anil Kumar東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-Selete
(30) 16:25-16:50 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価 SDM2010-151 ICD2010-66 柳 永勲遠藤和彦大内真一産総研)・亀井貴弘明大)・塚田順一山内洋美石川由紀産総研)・林田哲郎明大)・坂本邦博松川 貴産総研)・小椋厚志明大)・昌原明植産総研

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 川中 繁(東芝)
Tel 045-776-5670
E--mail: geba 
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 鈴木 弘明(ルネサスエレクトロニクス)
TEL 072-787-2335
E--mail:aubs 


Last modified: 2010-06-22 17:43:35


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