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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-08-27 16:55 ウェハ融着によるSi基板上1.3um InAs/GaAs量子ドットレーザ ○田辺克明・Denis Guimard・Damien Bordel・岩本 敏・荒川泰彦（東大）  EMD2010-59 CPM2010-75 OPE2010-84 LQE2010-57 |
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| 抄録 | （和） | III-V化合物半導体光源をSi基板ないし導波路上に形成した一体型デバイスは、光電子集積回路の実現に有効である。特に量子ドット（QD）レーザは低い発振閾値、高い温度動作安定性を有することから高密度集積に適している。我々は今回、ウェハ融着によるSi基板上電流注入型QDレーザを初めて実現したので報告する。作製したレーザは、Si上電流注入型QDレーザとして初めて1.3 um (> 1.0 um) O-bandでの発振を達成し、また、閾値電流密度は360 A/cm2とSi上QDレーザとして最低値を得ている。 |
| （英） | III-V semiconductor compounds light sources monolithically formed on Si substrates or waveguides would be promising for realization of photonic-electronic integrated circuits. Quantum dot (QD) lasers particularly has low lasing threshold current densities and high thermal stability Specifically quantum dot (QD) lasers yield low lasing threshold current and high temperature stability and therefore are suitable for high-density integration. We report the first demonstration of an electrically pumped QD laser on a Si substrate fabricated by wafer bonding. Our device has achieved RT lasing at 1.3 um (> 1.0 um) O-band for the first time as an electrically pumped QD laser on Si. Its lasing threshold current density was 360 A/cm2, the lowest out of QD lasers on Si. | |
| キーワード | （和） | 量子ドット / レーザ / シリコンフォトニクス / ウェハ張り合わせ / / / / |
| （英） | Quantum dot / Laser / Silicon photonics / Wafer bonding / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 181, LQE2010-57, pp. 153-156, 2010年8月. | |
| 資料番号 | LQE2010-57 | |
| 発行日 | 2010-08-19 (EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2010-59 CPM2010-75 OPE2010-84 LQE2010-57 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD OPE LQE CPM |
| 開催期間 | 2010-08-26 - 2010-08-27 |
| 開催地（和） | 千歳アルカディアプラザ |
| 開催地（英） | Chitose Arcadia Plaza |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-08-EMD-OPE-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ウェハ融着によるSi基板上1.3um InAs/GaAs量子ドットレーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1.3um InAs/GaAs Quantum Dot Lasers on Si Substrates by Wafer Bonding |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / Quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | レーザ / Laser |
| キーワード(3)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| キーワード(4)（和/英） | ウェハ張り合わせ / Wafer bonding |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田辺 克明 / Katsuaki Tanabe / タナベ カツアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Denis Guimard / Denis Guimard / デュニ ギマール |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Damien Bordel / Damien Bordel / ダミアン ボーデル |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩本 敏 / Satoshi Iwamoto / イワモト サトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko Arakawa / アラカワ ヤスヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-08-27 16:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | EMD2010-59, CPM2010-75, OPE2010-84, LQE2010-57 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.178(EMD), no.179(CPM), no.180(OPE), no.181(LQE) |
| ページ範囲 | pp.153-156 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-08-19 (EMD, CPM, OPE, LQE) |
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