| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-09-10 11:35 低抵抗Si基板上のCBCPW線路の裏面導体構造の検討 ○富山 渉・清水隆志・古神義則（宇都宮大）  MW2010-81 |
|
| 抄録 | （和） | 近年、ミリ波応用の実現に向けてSi CMOS回路の研究開発が推進されている。Si CMOS回路に低抵抗Si基板を用いる場合、オーム損による伝送損の増加が懸念され、その伝送損の低減が重要な課題となっている。本研究では、Si CMOSプロセスに適したCPW線路構造を模索するために、低抵抗Si基板上の絶縁層に構成された裏面導体付きCPW線路の裏面導体構造(配線層1層目)が伝送特性におよぼす影響を電磁界シミュレータにより検討した。その結果、配線層1層目の導体配置により伝送特性が大きく変化することがわかった。 |
| （英） | Recently, the realization of the millimeter wave applications has been promoting the development of the mm-wave Si CMOS circuits. There are concerns about the increase in transmission losses due to ohmic losses when low-resistivity silicon substrate is used. Therefore, one of the important issues is the reduction of the transmission losses. In this paper, it is studied that the effect on the transmission characteristic by the bottom conductor (1st metal layer) structure for the conductor backed coplanar waveguide, which composed by the insulator layer on the low-resistivity silicon substrate, using 3D electromagnetic field simulator. As a result, it is found that the transmission characteristic is greatly changed by the conductor arrangement of the 1st metal layer | |
| キーワード | （和） | 裏面導体付きCPW線路 / 配線層 / 低抵抗Si / ミリ波 / / / / |
| （英） | Conductor backed coplanar waveguide / Metal layer / Low-resistivity silicon / millimeter wave / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 197, MW2010-81, pp. 81-84, 2010年9月. | |
| 資料番号 | MW2010-81 | |
| 発行日 | 2010-09-02 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2010-81 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2010-09-09 - 2010-09-10 |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | Tokyo Inst. of Tech. |
| テーマ（和） | 学生研究会／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2010-09-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低抵抗Si基板上のCBCPW線路の裏面導体構造の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on the structure of the bottom conductor layer for CBCPW on the low-resistivity silicon substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 裏面導体付きCPW線路 / Conductor backed coplanar waveguide |
| キーワード(2)（和/英） | 配線層 / Metal layer |
| キーワード(3)（和/英） | 低抵抗Si / Low-resistivity silicon |
| キーワード(4)（和/英） | ミリ波 / millimeter wave |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 富山 渉 / Wataru Tomiyama / トミヤマ ワタル |
| 第1著者 所属（和/英） | 宇都宮大学 (略称： 宇都宮大) Utsunomiya University (略称： Utsunomiya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 隆志 / Takashi Shimizu / シミズ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 宇都宮大学 (略称： 宇都宮大) Utsunomiya University (略称： Utsunomiya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古神 義則 / Yoshinori Kogami / コガミ ヨシノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 宇都宮大学 (略称： 宇都宮大) Utsunomiya University (略称： Utsunomiya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-09-10 11:35:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2010-81 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.197 |
| ページ範囲 | pp.81-84 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-09-02 (MW) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]