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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-09-10 15:50 固相拡散法を用いた厚膜鉄シリサイドの試作と評価 ○籾山克章・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大）  CPM2010-89 |
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| 抄録 | （和） | 高効率太陽電池材料として期待されるβ-FeSi2を大面積製膜で有利な固相反応エピタキシー法を用いて、100nm以上の厚膜の形成を試みた。結晶性の評価法として、反射高速電子線回折(Reflection High Energy Electron Diffraction:RHEED)とX線回折を用いた。本研究ではRHEED像がβ-FeSi2であることを判定するために、β-FeSi２用のRHEEDシミュレーション技術を開発した。本研究では、100nm程度のFe膜を室温でSi基板上に蒸着し、基板温度を上昇させながら、表面の結晶構造の変化をRHEEDで観察し、相図としてまとめた。その結果、表面は、基板温度上昇に伴って、Fe結晶、アモルファス、β-FeSi2、β-FeSi2消失へと変化することがわかり、XRDやEDSの結果を併せて、拡散機構のモデル化を行った。 |
| （英） | β-FeSi2 has been attracting much attention as direct gap semiconductor material for high-efficient solar cells. We aimed to obtain a production method of β-FeSi2 with thicknesses of more than 100nm for solar cell production by solid phase epitaxy. The film crystallinity was checked by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and x-ray diffraction. A RHEED simulation technique was developed in order to determine the obtained RHEED pattern as that from β-FeSi2. For the sample preparation, we prepared Fe stacked Si(111) samples and made stepwise annealing on them. The film crystallinity dependence on the annealing temperature was summarized as 2D map of the initial Fe thickness and annealing temperature. We found a common feature of the crystallinty change from Fe crystal, amorphous,β-FeSi2, to amorphous with annealing again irrespective of the initial Fe thickness. We discussed rate-limiting factor to fabricate thickβ-FeSi2. |
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| キーワード | （和） | β-FeSi2 / 固相エピタキシー / RHEED / / / / / |
| （英） | β-FeSi2 / SPE / RHEED / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 202, CPM2010-89, pp. 47-51, 2010年9月. | |
| 資料番号 | CPM2010-89 | |
| 発行日 | 2010-09-03 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2010-89 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2010-09-10 - 2010-09-10 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 光記録技術・電子材料、一般 |
| テーマ（英） | Optical Data Storage, Electronic Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2010-09-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 固相拡散法を用いた厚膜鉄シリサイドの試作と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Test fabrication of thick iron silicide films by solid phase diffusion technique |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | β-FeSi2 / β-FeSi2 |
| キーワード(2)（和/英） | 固相エピタキシー / SPE |
| キーワード(3)（和/英） | RHEED / RHEED |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 籾山 克章 / Katsuaki Momiyama / モミヤマ カツアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata U) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 貴彦 / Takahiko Suzuki / スズキ タカヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata U) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose / |
| 第3著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata U) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-09-10 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2010-89 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.202 |
| ページ範囲 | pp.47-51 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-09-03 (CPM) |
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