講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-09-10 15:00
遷移金属含有低純度Siを用いた太陽電池の製作 ○都築 暁・武田大樹・佐野裕紀・鈴木貴彦・廣瀬文彦(山形大) CPM2010-87 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2010-87 |
抄録 |
(和) |
現在、多結晶Si太陽電池は製造コストが高く、低コスト化が望まれている。従来の多結晶Si製造法であるシーメンス法を用いずに製造された、純化が不完全な低コスト多結晶Si基板を用いた太陽電池の製造技術が望まれている。我々は、残留するとSi基板のキャリアライフタイムに影響を与えやすい、遷移金属(Cu、Ni、Fe)について1×1013/cm3程度で意図的に汚染された基板を用いて、ゲッタリングによる発電特性の高性能化の可能性を調査してきた。その結果、キャリアのライフタイムはリンガラスを用いたゲッタリング工程を用いることで、電子デバイスグレードの単結晶Siと同等な値まで改善できることがわかった。しかし、ゲッタリングの最適温度が不純物ごとで大きく異なり、対象不純物で工程を柔軟に変更する必要があることが明らかになった。上記技術を用いて、当該不純物で汚染された基板において、16%近い発電効率が得られることがわかった。 |
(英) |
Production methods of poly Si solar cells were investigated with low purity Si containing transition metals of Cu, Ni, and Fe with a concentration of 1013/cm3 since we aimed to develop low cost Si solar cells by using cheap Si source. It was found that gettering by phosphorous silicate glass were effective in removing those metals and improving minority carrier lifetime, although the optimized gettering temperature was different with the metals. We demonstrate Si solar cells with power conversion efficiency of 16% made of the low purity Si sources. |
キーワード |
(和) |
Si太陽電池 / ゲッタリング / 金属不純物 / 遷移金属 / Ni / Cu / Fe / |
(英) |
Si solar cell / gettering / metal impurity / transition metal / Ni / Cu / Fe / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 202, CPM2010-87, pp. 37-40, 2010年9月. |
資料番号 |
CPM2010-87 |
発行日 |
2010-09-03 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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