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講演抄録/キーワード
講演名 2010-09-29 15:15
SiO2/LiNbO3構造SAWデバイスにおけるSiO2膜物性と周波数温度係数の相関性の検討
松田 聡三浦道雄松田隆志上田政則佐藤良夫太陽誘電)・橋本研也千葉大US2010-53
抄録 (和) SiO2/LiNbO3構造を用いた広帯域温度補償のSAWデバイスにおいて、FT-IR (Fourier-transform Infrared Spectroscopy)を用いたSiO2膜特性の評価結果から、SiO2膜特性(ピーク波数、半値幅)と周波数温度係数(TCF)に相関性があることがわかった。その結果、デバイスにおけるTCF改善指標を見出すことができ、SiO2膜厚0.3λでTCF=0を実現することができた。また、Si-O-Si間の結合角から弾性定数の変化が説明され、TCF改善要因を解明することができた。 
(英) In the temperature compensation SAW device with SiO2/LiNbO3 structure, SiO2 film properties (the peak width at half maximum) and frequency temperature coefficient (TCF) was found to be correlated from the evaluation of SiO2 film properties using FT-IR (Fourier-transform Infrared Spectroscopy). As a result, we could find the index of improving the TCF and achieve TCF = 0 with the SiO2 thickness 0.3λ. We also explained the change of the elastic constants from the Si-O-Si bridging bond angle and understood the way of the improvement of TCF.
キーワード (和) SiO2 / LiNbO3 / 温度補償 / SAWデバイス / TCF / FT-IR / 弾性定数 / 結晶性  
(英) SiO2 / LiNbO3 / temperature compensation / SAW / TCF / FT-IR / elastic constant / crystallinity  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 213, US2010-53, pp. 29-32, 2010年9月.
資料番号 US2010-53 
発行日 2010-09-22 (US) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード US2010-53

研究会情報
研究会 US  
開催期間 2010-09-29 - 2010-09-30 
開催地(和) 東北大学 工学部 電子情報システム・応物系 南講義棟103会議室 
開催地(英) Tohoku Univ. 
テーマ(和) 一般 
テーマ(英) General 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 US 
会議コード 2010-09-US 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiO2/LiNbO3構造SAWデバイスにおけるSiO2膜物性と周波数温度係数の相関性の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study of Correlation between SiO2 Film Properties and Temperature Coefficients of Frequency in SAW Devices with SiO2/LiNbO3 Structure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SiO2 / SiO2  
キーワード(2)(和/英) LiNbO3 / LiNbO3  
キーワード(3)(和/英) 温度補償 / temperature compensation  
キーワード(4)(和/英) SAWデバイス / SAW  
キーワード(5)(和/英) TCF / TCF  
キーワード(6)(和/英) FT-IR / FT-IR  
キーワード(7)(和/英) 弾性定数 / elastic constant  
キーワード(8)(和/英) 結晶性 / crystallinity  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松田 聡 / Satoru Matsuda / マツダ サトル
第1著者 所属(和/英) 太陽誘電株式会社 (略称: 太陽誘電)
TAIYO YUDEN CO.,LTD. (略称: TAIYO YUDEN CO.,LTD.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 道雄 / Michio Miura / ミウラ ミチオ
第2著者 所属(和/英) 太陽誘電株式会社 (略称: 太陽誘電)
TAIYO YUDEN CO.,LTD. (略称: TAIYO YUDEN CO.,LTD.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松田 隆志 / Takashi Matsuda / マツダ タカシ
第3著者 所属(和/英) 太陽誘電株式会社 (略称: 太陽誘電)
TAIYO YUDEN CO.,LTD. (略称: TAIYO YUDEN CO.,LTD.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 上田 政則 / Masanori Ueda / ウエダ マサノリ
第4著者 所属(和/英) 太陽誘電株式会社 (略称: 太陽誘電)
TAIYO YUDEN CO.,LTD. (略称: TAIYO YUDEN CO.,LTD.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 良夫 / Yoshio Satoh / サトウ ヨシオ
第5著者 所属(和/英) 太陽誘電株式会社 (略称: 太陽誘電)
TAIYO YUDEN CO.,LTD. (略称: TAIYO YUDEN CO.,LTD.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋本 研也 / Ken-ya Hashimoto / ハシモト ケンヤ
第6著者 所属(和/英) 千葉大学大学院 (略称: 千葉大)
Graduate School of Engineering Chiba University (略称: Grad. School of Eng., Chiba Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-09-29 15:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 US 
資料番号 US2010-53 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.213 
ページ範囲 pp.29-32 
ページ数
発行日 2010-09-22 (US) 


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