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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-09-30 10:50 RFバイアススパッタ法によるc軸平行配向ZnO薄膜の形成 ～ バイアス周波数が配向性に及ぼす影響 ～ ○高柳真司（同志社大）・柳谷隆彦（名工大）・松川真美・渡辺好章（同志社大）  US2010-62 |
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| 抄録 | （和） | c軸が基板面と平行かつ一方向に配向した（(11-20)面，(10-10) 面配向）ZnO薄膜を用いた共振子は横波を励振する．この厚みすべり薄膜共振子は液体中での質量負荷を測定するセンサに応用できる．ZnO薄膜の成膜中に基板へイオンを照射すると原子が最も密に詰まった(0001)面はイオンの衝突による損傷を受けやすく成長が抑制され、原子が疎な(11-20)面や(10-10)面が優先的に配向すると考えられている．そこで本研究では，RFマグネトロンスパッタ法において成膜中に基板へイオンを照射するために，基板を設置する電極にRFバイアスを印加してZnO薄膜を作製した．その結果，バイアスなしで (0001)面配向ZnO薄膜が形成される条件下においても， c軸平行配向ZnO薄膜の形成に成功した． |
| （英） | ZnO films where the crystallite c-axis is unidirectionally-aligned and parallel to the substrate plane [(11-20) or (10-20) textured films] are good candidates for shear mode devices. They are suitable for the sensors to measure mass loading in the liquid. Ion bombardment to the substrate during film deposition suppresses the (0001)-oriented grain growth, resulting in the preferential development of (11-20) or (10-10) textures instead of the (0001) texture. This is because the most densely packed (0001) plane should incur more damage by ion bombardment than the (11-20) and (10-10) planes. In this study, we propose RF substrate bias RF magnetron sputtering method to induce the ion bombardment to the substrate. We successfully fabricated (11-20) or (10-10) ZnO films using this method in the conditions where these textures could not be formed without substrate bias. | |
| キーワード | （和） | c軸平行配向ZnO薄膜 / RFバイアススパッタ法 / 厚みすべりモード薄膜共振子 / RFマグネトロンスパッタ法 / / / / |
| （英） | c-axis parallel oriented ZnO film / RF bias sputtering / shear mode devices / RF magnetron sputtering method / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 213, US2010-62, pp. 75-80, 2010年9月. | |
| 資料番号 | US2010-62 | |
| 発行日 | 2010-09-22 (US) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | US2010-62 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
| 開催期間 | 2010-09-29 - 2010-09-30 |
| 開催地（和） | 東北大学 工学部 電子情報システム・応物系 南講義棟103会議室 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | 一般 |
| テーマ（英） | General |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | US |
| 会議コード | 2010-09-US |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RFバイアススパッタ法によるc軸平行配向ZnO薄膜の形成 |
| サブタイトル（和） | バイアス周波数が配向性に及ぼす影響 |
| タイトル（英） | c-axis parallel oriented ZnO film depositions by RF bias sputtering |
| サブタイトル（英） | The effect of bias frequency on the orientation |
| キーワード(1)（和/英） | c軸平行配向ZnO薄膜 / c-axis parallel oriented ZnO film |
| キーワード(2)（和/英） | RFバイアススパッタ法 / RF bias sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | 厚みすべりモード薄膜共振子 / shear mode devices |
| キーワード(4)（和/英） | RFマグネトロンスパッタ法 / RF magnetron sputtering method |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高柳 真司 / Shinji Takayanagi / タカヤナギ シンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doshisha University (略称： Doshisha Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松川 真美 / Mami Matsukawa / マツカワ マミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doshisha University (略称： Doshisha Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 好章 / Yoshiaki Watanabe / ワタナベ ヨシアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 同志社大学 (略称： 同志社大) Doshisha University (略称： Doshisha Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-09-30 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | US |
| 資料番号 | US2010-62 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.213 |
| ページ範囲 | pp.75-80 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-09-22 (US) |
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