| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-09-30 11:40 Ta2O5薄膜／Si基板を用いた圧電薄膜共振子の作製 ○土屋彰教・垣尾省司（山梨大）・中川恭彦（山梨大名誉教授）  US2010-64 |
|
| 抄録 | （和） | 酸素ラジカル源を搭載した高周波スパッタ装置を用いて，SiO2基板上にX軸配向Ta2O5薄膜を作製し，その配向性，レイリー型弾性表面波伝搬特性，表面粗さ，組成比を評価した結果，さらにTa2O5圧電薄膜/Si基板構造を用いた圧電薄膜共振子を作製し，その共振特性を評価した結果を報告する．SiO2基板上において，基板温度700℃以上のとき，単位格子と等しい面間隔を有し比較的大きな圧電性が得られた．圧電薄膜共振子の作製では，Ta2O5薄膜の膜厚が1.4 μmの試料において，1.7 GHz付近で共振特性を観測した． |
| （英） | Highly X-axis-oriented tantalum pentoxide (Ta2O5) piezoelectric thin films were deposited using an RF-magnetron sputtering system with a metal tantalum target and an O2-radical source. The degree of orientation, the Rayleigh-type surface acoustic wave properties, surface roughness and composition ratio were evaluated on SiO2 substrate. Moreover, an FBAR using Ta2O5 thin film/Si substrate structure was fabricated and the resonant characteristic was evaluated. When the substrate temperature was higher than 700˚C, the plane spacing equal to the unit cell and relatively large piezoelectricity were measured. When the film thickness was 1.4 μm, the resonant characteristic was observed at 1.7 GHz for the fabrication of FBAR. | |
| キーワード | （和） | 圧電薄膜 / 五酸化タンタル / 配向性 / 弾性表面波 / 電気機械結合係数 / 圧電薄膜共振子 / / |
| （英） | Piezoelectric thin film / Tantalum pentoxide / Orientation, / Surface acoustic wave / Coupling factor / FBAR / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 213, US2010-64, pp. 87-92, 2010年9月. | |
| 資料番号 | US2010-64 | |
| 発行日 | 2010-09-22 (US) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | US2010-64 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
| 開催期間 | 2010-09-29 - 2010-09-30 |
| 開催地（和） | 東北大学 工学部 電子情報システム・応物系 南講義棟103会議室 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | 一般 |
| テーマ（英） | General |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | US |
| 会議コード | 2010-09-US |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ta2O5薄膜／Si基板を用いた圧電薄膜共振子の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Film Bulk Acoustic Resonator Using Structure of Ta2O5 Thin Film/Si Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 圧電薄膜 / Piezoelectric thin film |
| キーワード(2)（和/英） | 五酸化タンタル / Tantalum pentoxide |
| キーワード(3)（和/英） | 配向性 / Orientation, |
| キーワード(4)（和/英） | 弾性表面波 / Surface acoustic wave |
| キーワード(5)（和/英） | 電気機械結合係数 / Coupling factor |
| キーワード(6)（和/英） | 圧電薄膜共振子 / FBAR |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 彰教 / Akinori Tsuchiya / ツチヤ アキノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) University of Yamanashi (略称： Yamanashi Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 垣尾 省司 / Shoji Kakio / カキオ ショウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) University of Yamanashi (略称： Yamanashi Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 恭彦 / Yasuhiko Nakagawa / ナカガワ ヤスヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 山梨大学名誉教授 (略称： 山梨大名誉教授) Professor Emeritus, University of Yamanashi (略称： Prof. Emeritus, Yamanashi Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-09-30 11:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | US |
| 資料番号 | US2010-64 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.213 |
| ページ範囲 | pp.87-92 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-09-22 (US) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]