ご案内 入会して研究会活動をもっとお得に!研究会参加費・年間登録費が会員価格になります。
お知らせ 【重要】研究会参加費の支払いおよび原稿アップロード手続きの変更に関するご案内
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2010-10-14 16:15
垂直磁気異方性制御が可能なL10型Fe(PdxPt1-x)合金を用いたスピン注入書き込みMRAM用FePt基TMR積層膜の作製
大宮翔吾吉村 哲江川元太斉藤 準秋田大MR2010-27
抄録 (和) 我々は、高い規則度を有しながら垂直磁気異方性磁界の制御が可能なL10-Fe(Pd,Pt)薄膜を作製した。
本薄膜をスピン注入書き込み方式が採用される超高密度垂直磁化MRAMにおけるメモリセルの記憶層(TMR 積層膜の磁化自由層)に用いることにより、スピン注入磁化反転電流の低減が期待される。また、本L10-Fe(Pd,Pt)薄膜を用いた保磁力差型の垂直磁化TMR 積層膜を積層構造および熱処理条件の最適化により、高配向および高規則に作製することに成功し、超高密度垂直磁化MRAM 用メモリセルの実現可能性を示した。 
(英) We have succeeded in fabrication of highly ordered L10-Fe(Pd,Pt) film with tunable perpendicular magnetic anisotropy.
The L10-Fe(Pd,Pd) film is one of suitable ferromagnetic material for memory cell (TMR multilayer) of high-performance Magnetic Random Access Memory with spin-transfer magnetization switching method. We also have succeeded in fabrication of TMR multilayer with the L10-Fe(Pd,Pt) film which is deposited with the optimized film configuration and annealing condition.
キーワード (和) 磁気ランダムアクセスメモリ / スピン注入磁化反転 / L10 型Fe(Pd,Pt)薄膜 / 垂直磁気異方性制御 / / / /  
(英) Magnetoresistive Random Access Memory / Spin-transfer magnetization switching / L10-Fe(Pd,Pt) film / Control of perpendicular magnetic anisotropy / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, 2010年10月.
資料番号  
発行日 2010-10-07 (MR) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MR2010-27

研究会情報
研究会 ITE-MMS MRIS  
開催期間 2010-10-14 - 2010-10-15 
開催地(和) 秋田県産業技術総合研究センター 高度技術研究所 
開催地(英) Akita Research and Development Center 
テーマ(和) 磁気記録,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2010-10-MMS-MR 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 垂直磁気異方性制御が可能なL10型Fe(PdxPt1-x)合金を用いたスピン注入書き込みMRAM用FePt基TMR積層膜の作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of L10-FePt based TMR multilayer using Fe(PdxPt1-x) with tunable perpendicular magnetic anisotropy for spin torque transfer MRAM application 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 磁気ランダムアクセスメモリ / Magnetoresistive Random Access Memory  
キーワード(2)(和/英) スピン注入磁化反転 / Spin-transfer magnetization switching  
キーワード(3)(和/英) L10 型Fe(Pd,Pt)薄膜 / L10-Fe(Pd,Pt) film  
キーワード(4)(和/英) 垂直磁気異方性制御 / Control of perpendicular magnetic anisotropy  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大宮 翔吾 / Shogo Omiya / オオミヤ ショウゴ
第1著者 所属(和/英) 秋田大学 (略称: 秋田大)
Akita University (略称: Akita Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉村 哲 / Satoru Yoshimura / ヨシムラ サトル
第2著者 所属(和/英) 秋田大学 (略称: 秋田大)
Akita University (略称: Akita Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 江川 元太 / Genta Egawa / エガワ ゲンタ
第3著者 所属(和/英) 秋田大学 (略称: 秋田大)
Akita University (略称: Akita Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 斉藤 準 / Hitoshi Saito / サイトウ ヒトシ
第4著者 所属(和/英) 秋田大学 (略称: 秋田大)
Akita University (略称: Akita Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第21著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第22著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第23著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第24著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第25著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第26著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第27著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第28著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第29著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第30著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第31著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第32著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第33著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第34著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第35著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第36著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2010-10-14 16:15:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 MR2010-27 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.225 
ページ範囲 pp.31-36 
ページ数
発行日 2010-10-07 (MR) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会