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| 講演名 | 2010-10-22 15:40 ソフトリソグラフィを用いた有機薄膜トランジスタ用のソース・ドレイン電極のパターン化の検討 ○浦 裕亮・伊東栄次（信州大）  OME2010-52 エレソ技報アーカイブへのリンク：OME2010-52 |
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| 抄録 | （和） | ソフトリソグラフィを用いてトップコンタクト型C60 薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極の直接 パターン形成を試みた。スタンパー上に直接Au を蒸着しC60 上に直接転写を試みたがAu の表面エネルギーが大き いため転写は困難であった。そこでAu とC60 と相互作用する密着層やPDMS からAu の離型性向上のためにPDMS とAu 間に薄い犠牲層を挿入したところAu の転写が可能となった。転写精度はスタンパーに依存するがアスペクト 比を考慮することで1μm から2μm の微細パターンを形成することができた。また電極転写によりC60 トランジスタ を作製し測定した。電極転写により作製した素子であっても移動度0.26cm2/Vs、閾値電圧20V と、直接C60 上に蒸 着法で電極形成したトランジスタと比較しても遜色ない性能であった。 |
| （英） | We have investigated the condition of direct patterning of sorce-drain(S-D) electrodes of fullerene (C60) thin film transistors (TFTs) by soft-lithography technique. The transfer printing of Au electrodes was essentially difficult due to the large surface energy of Au compared with those of stamper and C60. We, therefore, inserted the adhesion layer between Au and C60 and/or the sacrifice layer between the stamper and Au, respectively. By conditioning the aspect ratio, stamper material, transfer condition, etc., the fine patterns with the high resolution of 1μm were successfully patterned directly onto C60 layers. We then fabricated the top-contact (TC) C60 TFT with the S-D electrodes patterned by the softlithography technique. The saturated electron mobility of 0.26cm2/Vs and the threshold voltage of +20V was obtained with this technique and the performance was comparable to the conventional TC-TFTs with Au as a S-D electrodes. |
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| キーワード | （和） | ソフトリソグラフィ / 微細加工 / フラーレン, / Au 電極 / SAM 膜 / 有機薄膜トランジスタ / / |
| （英） | softlithography / microfabrication / fullerene / Au-electrode / self-assembled monolayer / organic thin film transistor / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 243, OME2010-52, pp. 33-36, 2010年10月. | |
| 資料番号 | OME2010-52 | |
| 発行日 | 2010-10-15 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2010-52 エレソ技報アーカイブへのリンク：OME2010-52 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2010-10-22 - 2010-10-22 |
| 開催地（和） | NTT武蔵野研究開発センター |
| 開催地（英） | NTT Musashino R&D Center |
| テーマ（和） | 有機デバイス全般・一般 |
| テーマ（英） | Organic Devices, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2010-10-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ソフトリソグラフィを用いた有機薄膜トランジスタ用のソース・ドレイン電極のパターン化の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Patterning of source-drain electrodes for organic thin film transistors by softlithography |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ソフトリソグラフィ / softlithography |
| キーワード(2)（和/英） | 微細加工 / microfabrication |
| キーワード(3)（和/英） | フラーレン, / fullerene |
| キーワード(4)（和/英） | Au 電極 / Au-electrode |
| キーワード(5)（和/英） | SAM 膜 / self-assembled monolayer |
| キーワード(6)（和/英） | 有機薄膜トランジスタ / organic thin film transistor |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦 裕亮 / Yusuke Ura / ウラ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊東 栄次 / Eiji Itoh / イトウ エイジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-22 15:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2010-52 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.243 |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-10-15 (OME) |
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