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| 講演名 | 2010-10-22 15:50 自動化超高速化量子分子動力学法によるシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション ○坪井秀行・伊勢真理子・林 由紀江・鈴木裕佳・佐藤裕美・小原幸子・稲葉賢二・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大）  SDM2010-169 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-169 |
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| 抄録 | （和） | シリコン表面における酸化膜の形成メカニズムの解明,とくにドライ酸化・ウエット酸化・ラジカル酸化の初期過程における反応分子とシリコン表面の相互作用の量子論に立脚したメカニズム解明は，半導体デバイスにおけるhigh-k膜形成プロセスにおける基礎的な知見として極めて有用である．本研究では当研究室で開発した自動化超高速化量子分子動力学法プログラムを駆使して，量子化学計算に立脚したシリコン表面の酸化反応プロセスのダイナミクスを解析したのでその一端を報告する． |
| （英） | Using our newly developed automated system of ultra-accelerated quantum chemical molecular dynamics method, we have investigated the initial process for dry, wet and radical oxidation reaction of silicon surface. In this report, we have analyzed the behavior of reactant molecules during the surface chemical reaction. | |
| キーワード | （和） | シリコン表面 / / / / / / / |
| （英） | Silicon surface / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 241, SDM2010-169, pp. 69-70, 2010年10月. | |
| 資料番号 | SDM2010-169 | |
| 発行日 | 2010-10-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-169 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2010-169 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-10-21 - 2010-10-22 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Semiconductor process science and new technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 自動化超高速化量子分子動力学法によるシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dry, Wet and Radical Oxidation Simulation of Silicon Surface Using Automated System of Ultra-Accelerated Quantum Chemical Molecular Dynamics Method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン表面 / Silicon surface |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坪井 秀行 / Hideyuki Tsuboi / ツボイ ヒデユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊勢 真理子 / Mariko Ise / イセ マリコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 由紀江 / Yukie Hayashi / ハヤシ ユキエ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 裕佳 / Yuka Suzuki / スズキ ユカ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 裕美 / Hiromi Sato / サトウ ヒロミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小原 幸子 / Yukiko Obara / オバラ ユキコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 稲葉 賢二 / Kenji Inaba / イナバ ケンジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 南雲 亮 / Ryo Nagumo / ナグモ リョウ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 隆治 / Ryuji Miura / ミウラ リュウジ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 愛 / Ai Suzuki / スズキ アイ |
| 第10著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畠山 望 / Nozomu Hatakeyama / ハタケヤマ ノゾム |
| 第11著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 明 / Akira Endou / エンドウ アキラ |
| 第12著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高羽 洋充 / Hiromitsu Takaba / タカバ ヒロミツ |
| 第13著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保 百司 / Momoji Kubo / |
| 第14著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 明 / Akira Miyamoto / ミヤモト アキラ |
| 第15著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-22 15:50:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-169 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.241 |
| ページ範囲 | pp.69-70 |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2010-10-14 (SDM) |
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