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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-10-22 14:50 酸素ラジカルを用いて形成したSiO2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性 ○諏訪智之・熊谷勇喜・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）・木下豊彦・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）  SDM2010-167 |
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| 抄録 | （和） | Si 2pとO 1sの内殻準位および価電子帯からの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを脱出深さを揃えて測定し、Oラジカルで形成したSiO2/Si界面近傍の組成、化学シフトおよびバンド構造を調査し、以下の点を明らかにした。1) SiO2/Si界面において急峻に近い組成遷移を示す、2) Si(111)、Si(110)およびSi(551)上に形成されたSiO2/Si界面におけるVBオフセット量はほぼ等しく、SiO2/Si(100)界面におけるVBオフセット量よりも0.07 eVだけ小さい。 |
| （英） | The chemical and electronic-band structures of SiO2/Si interfaces formed utilizing oxygen radicals were investigated by measuring angle-resolved photoelectron spectra arising from Si 2p and O 1s core levels and a valence band with the same probing depth. We clarified that 1) the SiO2/Si interfaces formed exhibited an almost abrupt compositional transition, 2) the valence band offsets at the Si(111)/Si, Si(110)/Si, and Si(551)/Si interfaces are almost the same and are 0.07 eV smaller than that at the SiO2/Si(100) interface. | |
| キーワード | （和） | 光電子分光 / SiO2/Si界面 / 組成遷移層 / ラジカル酸化 / / / / |
| （英） | photoelectron spectra / SiO2/Si interface / compositional transition layer / radical oxidation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 241, SDM2010-167, pp. 61-65, 2010年10月. | |
| 資料番号 | SDM2010-167 | |
| 発行日 | 2010-10-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-167 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-10-21 - 2010-10-22 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Semiconductor process science and new technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 酸素ラジカルを用いて形成したSiO2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystallographic orientation dependence of compositional transition and valence band offset at SiO2/Si interface formed using oxygen radicals |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電子分光 / photoelectron spectra |
| キーワード(2)（和/英） | SiO2/Si界面 / SiO2/Si interface |
| キーワード(3)（和/英） | 組成遷移層 / compositional transition layer |
| キーワード(4)（和/英） | ラジカル酸化 / radical oxidation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 熊谷 勇喜 / Yuki Kumagai / クマガイ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 豊彦 / Toyohiko Kinoshita / キノシタ トヨヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称： JASRI) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 室 隆桂之 / Takayuki Muro / ムロ タカユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称： JASRI) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-22 14:50:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-167 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.241 |
| ページ範囲 | pp.61-65 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-10-14 (SDM) |
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