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講演抄録/キーワード
講演名 2010-10-22 16:20
原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価
服部真季明大)・小瀬村大亮明大/学振)・武井宗久永田晃基赤松弘彬富田基裕水上雄輝橋口裕樹山口拓也小椋厚志明大)・諏訪智之寺本章伸服部健雄大見忠弘東北大)・小金澤智之高輝度光科学研究センターSDM2010-170 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-170
抄録 (和) 原子スケールで平坦なSiO2/Si界面の構造や歪の状態を明らかにするために、ラマン分光法およびin-plane X線回折法に基づく測定・評価を行った。ラマン分光測定によりSiO2/Si界面近傍には圧縮歪が存在していることを確認した。また、in-plane X線回折法によりラマン分光法同様、酸化温度上昇とともに圧縮歪が増大する傾向が確認された。Si 110回折における測定では、通常禁制反射によりピークを観測できないとされているが、今回の結果からピークが2つにスプリットすることを確認した。この2つのピーク幅やピークの強度が、界面構造や局所歪と関係性があることが示唆された。 
(英) We performed Raman spectroscopy and in-plane XRD measurement to clarify the structure and strain in Si at and near an atomically flat SiO2/Si interface. From the results of Raman spectroscopy, compressive strain exists at the SiO2/Si interface. In addition, it was also confirmed that the compressive strain increased with elevating oxidation temperature from the results of in-plane XRD. We observed Si 110 diffraction and its split into two peaks in spite of forbidden reflection. It was indicated that FWHM and peak intensity of these two peaks correlate with interfacial structure and local strain.
キーワード (和) シリコン酸化膜 / ラマン分光法 / in-plane X線回折法 / / / / /  
(英) Silicon dioxide film / Raman spectroscopy / In-plane XRD / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 241, SDM2010-170, pp. 71-75, 2010年10月.
資料番号 SDM2010-170 
発行日 2010-10-14 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2010-170 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-170

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2010-10-21 - 2010-10-22 
開催地(和) 東北大学 
開催地(英) Tohoku University 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Semiconductor process science and new technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2010-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Strain evaluation in Si at atomically flat SiO2/Si interface 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコン酸化膜 / Silicon dioxide film  
キーワード(2)(和/英) ラマン分光法 / Raman spectroscopy  
キーワード(3)(和/英) in-plane X線回折法 / In-plane XRD  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 服部 真季 / Maki Hattori / ハットリ マキ
第1著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小瀬村 大亮 / Daisuke Kosemura / コセムラ ダイスケ
第2著者 所属(和/英) 明治大学/学振特別研究員 (略称: 明大/学振)
Meiji University/Japan Society for the Promotion of Science (略称: Meiji Univ./JSPS)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 武井 宗久 / Munehisa Takei / タケイ ムネヒサ
第3著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 永田 晃基 / Kohki Nagata / ナガタ コウキ
第4著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤松 弘彬 / Hiroaki Akamatsu /
第5著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 富田 基裕 / Motohiro Tomita / ミズカミ ユウキ
第6著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 水上 雄輝 / Yuuki Mizukami / ヤマグチ タクヤ
第7著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋口 裕樹 / Yuuki Hashiguchi / ハシグチ ヒロキ
第8著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 拓也 / Takuya Yamaguchi / ヤマグチ タクヤ
第9著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 小椋 厚志 / Atsushi Ogura / オグラ アツシ
第10著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ
第11著者 所属(和/英) 東北大学未来科学技術共同研究センター (略称: 東北大)
New Industry Creation Hatchery Center (略称: NICHe)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ
第12著者 所属(和/英) 東北大学未来科学技術共同研究センター (略称: 東北大)
New Industry Creation Hatchery Center (略称: NICHe)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ
第13著者 所属(和/英) 東北大学未来科学技術共同研究センター (略称: 東北大)
New Industry Creation Hatchery Center (略称: NICHe)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ
第14著者 所属(和/英) 東北大学未来科学技術共同研究センター (略称: 東北大)
New Industry Creation Hatchery Center (略称: NICHe)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 小金澤 智之 / Tomoyuki Koganezawa / コガネザワ トモユキ
第15著者 所属(和/英) 財団法人高輝度光科学センター (略称: 高輝度光科学研究センター)
Japan Synchrotoron Radiation Research Institute (略称: JASRI)
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第20著者 所属(和/英) (略称: )
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-10-22 16:20:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2010-170 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.241 
ページ範囲 pp.71-75 
ページ数
発行日 2010-10-14 (SDM) 


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