講演抄録/キーワード |
講演名 |
2010-10-22 16:20
原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価 ○服部真季(明大)・小瀬村大亮(明大/学振)・武井宗久・永田晃基・赤松弘彬・富田基裕・水上雄輝・橋口裕樹・山口拓也・小椋厚志(明大)・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘(東北大)・小金澤智之(高輝度光科学研究センター) SDM2010-170 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2010-170 |
抄録 |
(和) |
原子スケールで平坦なSiO2/Si界面の構造や歪の状態を明らかにするために、ラマン分光法およびin-plane X線回折法に基づく測定・評価を行った。ラマン分光測定によりSiO2/Si界面近傍には圧縮歪が存在していることを確認した。また、in-plane X線回折法によりラマン分光法同様、酸化温度上昇とともに圧縮歪が増大する傾向が確認された。Si 110回折における測定では、通常禁制反射によりピークを観測できないとされているが、今回の結果からピークが2つにスプリットすることを確認した。この2つのピーク幅やピークの強度が、界面構造や局所歪と関係性があることが示唆された。 |
(英) |
We performed Raman spectroscopy and in-plane XRD measurement to clarify the structure and strain in Si at and near an atomically flat SiO2/Si interface. From the results of Raman spectroscopy, compressive strain exists at the SiO2/Si interface. In addition, it was also confirmed that the compressive strain increased with elevating oxidation temperature from the results of in-plane XRD. We observed Si 110 diffraction and its split into two peaks in spite of forbidden reflection. It was indicated that FWHM and peak intensity of these two peaks correlate with interfacial structure and local strain. |
キーワード |
(和) |
シリコン酸化膜 / ラマン分光法 / in-plane X線回折法 / / / / / |
(英) |
Silicon dioxide film / Raman spectroscopy / In-plane XRD / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 241, SDM2010-170, pp. 71-75, 2010年10月. |
資料番号 |
SDM2010-170 |
発行日 |
2010-10-14 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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