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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-10-22 11:40 高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成 ○黒木伸一郎・川崎雄也・藤井俊太朗・小谷光司（東北大）・伊藤隆司（東工大/広島大）  SDM2010-163 |
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| 抄録 | （和） | 石英基板上にレーザ結晶化により3軸配向性の高いPoly-Si薄膜を形成した。連続発振レーザを用い、ビームスポットを、直線状ビームを2本並べたダブルラインビームとすることで、結晶化時の過冷却温度を比較的均一に保つことで選択的に特定の結晶粒の結晶成長を行うことができた。得られた結晶薄膜は、ラテラル結晶化面に{110}、面内でこれに垂直な面に{111}、表面方向に{211}の面方位を有している。またシリコン結晶グレインは大粒径化し、長軸方向に100 µm以上、短軸方向の平均長さ0.7 µmの大きさをもつ１次元状結晶グレインが得られた。 |
| （英） | Highly bi-axially oriented poly-Si thin films with very long grains were successfully fabricated on quartz substrates by continuous wave laser crystallization with parallel double-line beams. The newly-developed technique achieved highly-oriented silicon grains having {110}, {111} and {211} crystal orientations in the laser lateral crystallized plane, the transverse side plane and the surface plane, respectively. All the silicon grains were elongated in the laser-scanning direction and linearly arranged with a length of over 100 µm and a width of 0.7 µm. | |
| キーワード | （和） | レーザ結晶化 / CLC / Poly-Si / 薄膜トランジスタ / / / / |
| （英） | Laser crystallization / CLC / Poly-Si / Thin Film Transistor / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 241, SDM2010-163, pp. 45-48, 2010年10月. | |
| 資料番号 | SDM2010-163 | |
| 発行日 | 2010-10-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-163 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-10-21 - 2010-10-22 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Semiconductor process science and new technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Highly Crystalline-Oriented Poly-Si Thin Films by using Double -Line-Beam CLC for High Performance LPTS-TFT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | レーザ結晶化 / Laser crystallization |
| キーワード(2)（和/英） | CLC / CLC |
| キーワード(3)（和/英） | Poly-Si / Poly-Si |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin Film Transistor |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒木 伸一郎 / Shin-Ichiro Kuroki / クロキ シンイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川崎 雄也 / Yuya Kawasaki / カワサキ ユウヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 俊太朗 / Shuntaro Fujii / フジイ シュンタロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小谷 光司 / Koji Kotani / コタニ コウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 隆司 / Takashi Ito / イトウ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大/広島大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-22 11:40:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-163 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.241 |
| ページ範囲 | pp.45-48 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-10-14 (SDM) |
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