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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-10-25 13:00 薄膜立体化技術を用いたFEA作製 ○吉田知也・長尾昌善・西 孝・大崎 壽・清水貴思・金丸正剛（産総研）  ED2010-128 |
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| 抄録 | （和） | イオン照射誘起薄膜変形（Ion Induced Bending: IIB）技術を利用した電界電子放出型電子源（Field Emitter Array: FEA）作製プロセスを開発した．IIB技術を使うと厚さ20 nmの薄膜を立体化し高さ1μmの電子源を作製できる．本プロセスは特殊な装置を必要としない薄膜プロセスであり，イオン照射の条件は一般的な薄膜トランジスタ（TFT）プロセスのイオンドーピングと同等であるため，TFTプロセスとの整合性・融合性を備えているといえる．エミッション電流制御用のTFTを内蔵したFEA作製にも成功した．IIB技術を使ったFEA作製プロセスはTFTの製造ラインを用いることにより，大面積FEAの作製が可能な技術である． |
| （英） | A simple field emitter array (FEA) fabrication process based on ion-induced bending (IIB) technology was developed. Using IIB technology, only 20-nm-thick thin film is necessary to form an emitter tip of 1 micrometer in height. This FEA fabrication process does not require any specialized equipments, and the condition of the ion irradiation for IIB is equal to the ion doping process of the general thin-film transistor (TFT) fabrication. And we demonstrated the fabrication of the FEA integration with TFT. The FEA fabrication process using the IIB technology would therefore be compatible with standard TFT fabrication processes and could produce large-area FEA applications. | |
| キーワード | （和） | イオン照射 / 薄膜 / 応力 / 大面積FEA / FED / X線イメージング / / |
| （英） | ion beam irradiation / thin film / stress relaxation / large-area FEA / FED / X-ray imaging device / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 249, ED2010-128, pp. 1-6, 2010年10月. | |
| 資料番号 | ED2010-128 | |
| 発行日 | 2010-10-18 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-128 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2010-10-25 - 2010-10-26 |
| 開催地（和） | 宇治おうばくプラザ(京都大学） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-10-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 薄膜立体化技術を用いたFEA作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | FEA fabrication using thin film bending technology |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオン照射 / ion beam irradiation |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(3)（和/英） | 応力 / stress relaxation |
| キーワード(4)（和/英） | 大面積FEA / large-area FEA |
| キーワード(5)（和/英） | FED / FED |
| キーワード(6)（和/英） | X線イメージング / X-ray imaging device |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 知也 / Tomoya Yoshida / ヨシダ トモヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西 孝 / Takashi Nishi / ニシ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大崎 壽 / Hisashi Ohsaki / オオサキ ヒサシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 貴思 / Takashi Shimizu / シミズ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金丸 正剛 / Seigo Kanemaru / カネマル セイゴウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-25 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-128 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.249 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-10-18 (ED) |
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