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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-10-29 09:25 直接窒化法で形成したSiC表面窒化層の厚さと界面特性の評価 ○鈴木真一郎・村田裕亮・逸見充則・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大）  CPM2010-100 |
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| 抄録 | （和） | 純N$_{2}$またはNH$_{3}$雰囲気での直接窒化法を用いて，SiC表面上に窒化層を形成させた．形成させた窒化層表面をXPSにより分析し，窒化層の厚さを概算した．窒化層の厚さは，最大2\ nm程度と見積もった．SiC表面と窒化層の界面特性を評価するために，窒化層上にSiO$_{2}$膜を堆積させたMISキャパシタを作製した．MISキャパシタの界面準位密度は，伝導帯端から0.3\ eVの位置で10$^{11}\sim 10^{12}$\ eV$^{-1}$cm$^{-2}$程度であった．SiO$_{2}$/窒化層/SiC\ MISキャパシタの界面準位密度は，SiO$_{2}$/SiC\ MISキャパシタの界面準位密度よりも低い値となった．SiC表面の直接窒化は，SiC\ MIS構造において界面準位密度を減少させるための有効な方法の一つであると考えられる． |
| （英） | A nitride layer was formed on a SiC surface by direct nitridation in N$_{2}$ or NH$_{3}$. The surface was characterized by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The thickness of the nitride layer was estimated to be less then 2 nm. The metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitor was formed on SiC surface nitride layer to measure the interface properties between the SiC substrate and the nitride layer. The interface state density of MIS capacitor was on the order of 10$^{11}$--10$^{12}$ eV$^{-1}$cm$^{-2}$ at 0.3 eV below the conduction band edge. The interface state density of the SiO$_{2}$/nitride/SiC sample was lower than that of the SiO$_{2}$/SiC sample. Direct nitridation seems to be one of the promising methods to reduce the interface state density in SiC MIS structures. | |
| キーワード | （和） | SiC / 窒化 / 界面準位密度 / MIS / / / / |
| （英） | SiC / nitride / interface state density / MIS / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 261, CPM2010-100, pp. 47-50, 2010年10月. | |
| 資料番号 | CPM2010-100 | |
| 発行日 | 2010-10-21 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2010-100 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2010-10-28 - 2010-10-29 |
| 開催地（和） | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2010-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 直接窒化法で形成したSiC表面窒化層の厚さと界面特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Estimation of nitride layer thickness and characterization of the interface between SiC and nitride layer prepared by direct nitridation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化 / nitride |
| キーワード(3)（和/英） | 界面準位密度 / interface state density |
| キーワード(4)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 真一郎 / Shinichiro Suzuki / スズキ シンイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村田 裕亮 / Yusuke Murata / ムラタ ユウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 逸見 充則 / Mitsunori Henmi / ヘンミ ミツノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山上 朋彦 / Tomohiko Yamakami / ヤマカミ トモヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林部 林平 / Rinpei Hayashibe / ハヤシベ リンペイ |
| 第5著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上村 喜一 / Kiichi Kamimura / カミムラ キイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-29 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2010-100 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.261 |
| ページ範囲 | pp.47-50 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-10-21 (CPM) |
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