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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-10-29 09:00 グラファイト触媒を用いたHW-CVD法によるSiC薄膜の低温形成 ○坂口優也・中村嘉孝・有馬 潤・森山和久・林部林平・阿部克也（信州大）  CPM2010-99 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2010-99 |
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| 抄録 | （和） | グラファイト触媒を用いたHW-CVD法により、p-Si(001)及びガラス基板上へのSiC薄膜の低温形成を試みた。 原料ガスをSiH$_3$CH$_3$、希釈ガスをH$_2$とし、グラファイト触媒の温度を1500℃で固定して基板台温度、触媒-基板間距離、 水素希釈比、成長圧力の各依存性について調査した。その結果、250℃の基板温度においてアモルファスSiC膜を得ることに成功し、 各パラメータ依存性の結果からSiC薄膜の結晶性向上のためには、成長表面での原子状水素濃度を増大させるための最適条件を探ることが重要であることがわかった。 |
| （英） | Silicon carbide films were prepared on p-Si(001) and glass substrates by hot-wire chemical vapor deposition using graphite filaments and a gas mixture of SiH$_3$CH$_3$ and H$_2$ at low substrate temperature. The temperature of graphite filaments were fixed at 1500℃. The dependences of substrate temperature, catalyst-substrate distance, hydrogen dilution ratio and growth pressure were investigated. The amorphous SiC films were successfully obtained at a low substrate temperature of 250℃. It was found that the optimization of growth conditions to increase atomic hydrogen density on the growth surface was important for improving crystallinity of the SiC films. |
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| キーワード | （和） | シリコンカーバイド / HW-CVD法 / グラファイト触媒 / / / / / |
| （英） | SiC / HW-CVD / graphite filament / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 261, CPM2010-99, pp. 43-46, 2010年10月. | |
| 資料番号 | CPM2010-99 | |
| 発行日 | 2010-10-21 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2010-99 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2010-99 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2010-10-28 - 2010-10-29 |
| 開催地（和） | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2010-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | グラファイト触媒を用いたHW-CVD法によるSiC薄膜の低温形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low temperature growth of SiC films by HW-CVD using graphite filaments |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンカーバイド / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | HW-CVD法 / HW-CVD |
| キーワード(3)（和/英） | グラファイト触媒 / graphite filament |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂口 優也 / Yuya Sakaguchi / サカグチ ユウヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinsyu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 嘉孝 / Hironori Nakamura / ナカムラ ヒロノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinsyu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有馬 潤 / Jun Arima / アリマ ジュン |
| 第3著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinsyu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森山 和久 / Kazuhisa Moriyama / モリヤマ カズヒサ |
| 第4著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinsyu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林部 林平 / Rinpei Hayashibe / ハヤシベ リンペイ |
| 第5著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinsyu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 阿部 克也 / Katsuya Abe / アベ カツヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinsyu University (略称： Shinshu Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-29 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2010-99 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.261 |
| ページ範囲 | pp.43-46 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-10-21 (CPM) |
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