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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-10-29 12:40 横方向DCELデバイスにおけるZnOナノロッド上でのEL蛍光体の堆積形態の影響 ○佐藤知正・松澤友紀・金城貴樹・平手孝士（神奈川大）  CPM2010-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2010-107 |
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| 抄録 | （和） | 無機EL蛍光体と導電性ZnOナノロッドとを組み合わせた横方向電界印加型DC-TFELデバイスにおいて，ZnOナノロッドEL蛍光体ZnS:Mnの堆積をEB法とCVD法によって作製し，DCELデバイス特性を比較検討した．ZnS:Mnの堆積方法の違いによって異なる堆積形態，異なるデバイス構造になり，デバイス特性は劇的に異なった．DCELデバイスの側面電極間距離は2mmとした． EB法によりZnS:Mnを堆積させた場合，ZnS:Mnが軸方向に積層したZnS:Mn/ZnO積層NRsがセパレート性良くエポキシ樹脂中に垂直配向して分散した構造になった．この場合のデバイスは初期の電圧印加時に生じた非可逆的なデバイス抵抗の変化を経てから低電圧発光性デバイスに変化した．発光は不均一ながらも，56V印加時に3406 cd/m2という低電圧、高輝度発光が得られた．一方，CVD法によりZnS:Mnを堆積させた場合はZnOナノロッドとZnS:Mnが横方向に連続したコンポジット層を形成し，その厚さを増加させることができた．しかし従来報告と同様にKVオーダーの高い駆動電圧を必要とした． |
| （英） | In an inorganic lateral DC-electroluminescence (DCEL) device combined with conductive ZnO nanorods(NRs), ZnS:Mn as EL phosphor on ZnO NRs was deposited by an EB method and a CVD method. Differences of deposition morphology of ZnS:Mn between both methods have made different device structures, resulting in a considerable difference in their device characteristics. The spacing between two side electrodes was 2mm. The device by EB method exhibited the high luminance, 3406cd/m2, at the low DC operation voltage, 56V, although the device had poor uniformity in EL emission area and poor luminous efficiency. On the other hand, the device by CVD methods exhibited good uniformity in EL emission area. The device, however, required the high operation voltage, 9kV, which is the same order of magnitude as that of the past lateral DCEL devices. | |
| キーワード | （和） | 酸化亜鉛 / ナノロッド / 硫化亜鉛 / 電界発光 / 直流 / 横方向 / / |
| （英） | ZnO / nanorod / ZnS / electroluminescence / DC / lateral / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 261, CPM2010-107, pp. 81-86, 2010年10月. | |
| 資料番号 | CPM2010-107 | |
| 発行日 | 2010-10-21 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2010-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2010-107 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2010-10-28 - 2010-10-29 |
| 開催地（和） | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2010-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 横方向DCELデバイスにおけるZnOナノロッド上でのEL蛍光体の堆積形態の影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of Deposition Morphology of EL Phosphor on ZnO Nanorods on Characteristics of Lateral DCEL Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化亜鉛 / ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | ナノロッド / nanorod |
| キーワード(3)（和/英） | 硫化亜鉛 / ZnS |
| キーワード(4)（和/英） | 電界発光 / electroluminescence |
| キーワード(5)（和/英） | 直流 / DC |
| キーワード(6)（和/英） | 横方向 / lateral |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 知正 / Tomomasa Satoh / サトウ トモマサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 神奈川大学 (略称： 神奈川大) Kanagawa University (略称： Kanagawa Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松澤 友紀 / Yuki Matuzawa / マツザワ ユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 神奈川大学 (略称： 神奈川大) Kanagawa University (略称： Kanagawa Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金城 貴樹 / Takaki Kaneshiro / カネシロ タカキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 神奈川大学 (略称： 神奈川大) Kanagawa University (略称： Kanagawa Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平手 孝士 / Takashi Hirate / ヒラテ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 神奈川大学 (略称： 神奈川大) Kanagawa University (略称： Kanagawa Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-10-29 12:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2010-107 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.261 |
| ページ範囲 | pp.81-86 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-10-21 (CPM) |
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