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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-11 14:55 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 ～ SNOMによるEfficiency droop機構の解明 ～ ○橋谷 享・金田昭男・船戸 充・川上養一（京大）  ED2010-149 CPM2010-115 LQE2010-105 |
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| 抄録 | （和） | InGaN 単一量子井戸構造(SQW)のefficiency droop 現象を解明するために, 本研究では, 内部量子効率に焦点を絞り, 近接場光学顕微鏡(SNOM)を用いた発光(PL)測定, 時間分解PL(TRPL)測定を行った. 緑色発光InGaN SQW のPL 強度マッピングでは, 数百nm の島状に分布する発光強度が強い領域と，その周りに分布する弱発光領域が観察された. また, 強励起時に強発光領域において, キャリアがプローブ先端の開口の外側へ拡散していることが判明した. 加えて, このキャリアの拡散が生じるキャリア密度において, 非輻射再結合寿命の高速化や積分発光強度の飽和というefficiency droop 現象が観測された. 以上のことから, 緑色発光InGaN SQW におけるefficiencydroop 現象の主要因は, 励起光強度が強くなると, 強発光領域から弱発光領域へキャリアが拡散し, 非輻射再結合するキャリアの割合が増加することに起因すると考えられる. |
| （英） | The temporally and spatially resolved photoluminescence (PL) mappings under the various carrier densities have been performed for a green emitting InGaN/GaN single quantum well (SQW) by scanning near-field microscopy (SNOM) at room temperature to clarify the efficiency droop phenomena. The PL intensity mapping shows that the strong PL intensity domains, sizes of which were several hundred nm and were surrounded by weak PL intensity domains. The time resolved PL results revealed that carriers diffuse out of the probe aperture under high excitation condition at the strong PL intensity domains. Moreover, macroscopic PL measurements under the same high excitation density showed faster nonradiative recombination processes and saturation of the PL intensity, which suggest efficiency droop. These findings led us to a conclusion that the main factor of efficiency droop is carrier migration from the strong PL intensity area to weak one, which is enhanced under the high photoexcitation condition. | |
| キーワード | （和） | 近接場光学顕微鏡 / InGaN 単一量子井戸 / efficiency droop / キャリア寿命 / / / / |
| （英） | SNOM / InGaN SQW / Efficiency droop / carrier life time / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 273, LQE2010-105, pp. 33-36, 2010年11月. | |
| 資料番号 | LQE2010-105 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-149 CPM2010-115 LQE2010-105 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 阪大 中ノ島センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 |
| サブタイトル（和） | SNOMによるEfficiency droop機構の解明 |
| タイトル（英） | Carrier diffusion dynamics in InGaN/GaN SQW studied by spatial and temporal resolved PL spectroscopy |
| サブタイトル（英） | Efficiency droop mechanism assessed by SNOM |
| キーワード(1)（和/英） | 近接場光学顕微鏡 / SNOM |
| キーワード(2)（和/英） | InGaN 単一量子井戸 / InGaN SQW |
| キーワード(3)（和/英） | efficiency droop / Efficiency droop |
| キーワード(4)（和/英） | キャリア寿命 / carrier life time |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋谷 享 / Akira Hashiya / ハシヤ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学大学院 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金田 昭男 / Akio Kaneta / カネタ アキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学大学院 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 船戸 充 / Mitsuru Funato / フナト ミツル |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学大学院 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川上 養一 / Yoichi Kawakami / カワカミ ヨウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学大学院 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-11 14:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2010-149, CPM2010-115, LQE2010-105 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) |
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