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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-11 10:50 疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長 ○本田 徹・林 才人・後藤大雅・井垣辰浩（工学院大）  ED2010-144 CPM2010-110 LQE2010-100 |
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| 抄録 | （和） | GaN系低コスト集積化発光素子の実現は小型フラットパネルディスプレイの高輝度化の点から注目されている．集積密度向上のためには，各素子に対する電極配置は、縦型が望ましい．このような観点から、サファイア基板上に形成した疑似Al基板上にMBE法によるGaN薄膜製作検討を行った結果について報告する．サファイア基板上に疑似Al基板を基板温度200℃程度でエピタキシャル成長により形成した．表面窒化によりAlNを350℃にて形成後GaNの成長を行った結果，良好なGaN薄膜の形成が可能であることがわかった． |
| （英） | Fabrication of integrated light-emitting devices based on GaN requires a vertical carrier injection. In the case, GaN growth on metal substrates is one of the solutions. Epitaxial growth of (111)Al on (0001)sapphire was investigated for the application to pseudo Al substrates for the III-V growth. At the growth temperatures around 200 °C, the Epitaxial growth was achieved. Its atomic force microscopy (AFM) images indicated that the surface morphology of the (111)Al layer was smooth compared with that of bulky (111)Al substrates with chemical polishing treatment. The surface nitridation was also investigated. At the temperature of 350 °C, streaky RHEED patterns were observed. Those results clarified that the pseudo Al substrates grown by MBE was suitable for the substrates using the III-V growth. | |
| キーワード | （和） | 窒化ガリウム / GaN / Al 基板 / MBE / / / / |
| （英） | gallium nitride / GaN / Al substrate / MBE / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 273, LQE2010-100, pp. 11-14, 2010年11月. | |
| 資料番号 | LQE2010-100 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-144 CPM2010-110 LQE2010-100 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 阪大 中ノ島センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 疑似(111)Al基板上GaN薄膜のRF-MBE成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN growth on pseudo (111)Al substrates by RF-MBE |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / gallium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | Al 基板 / Al substrate |
| キーワード(4)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 徹 / Tohru Honda / ホンダ トオル |
| 第1著者 所属（和/英） | 工学院大学 (略称： 工学院大) Kogakuin University (略称： Kogakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 才人 / Masato Hayashi / ハヤシ マサト |
| 第2著者 所属（和/英） | 工学院大学 (略称： 工学院大) Kogakuin University (略称： Kogakuin Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 大雅 / Taiga Goto / ゴトウ タイガ |
| 第3著者 所属（和/英） | 工学院大学 (略称： 工学院大) Kogakuin University (略称： Kogakuin Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井垣 辰浩 / Tatsuhiro Igaki / イガキ タツヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 工学院大学 (略称： 工学院大) Kogakuin University (略称： Kogakuin Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-11 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2010-144, CPM2010-110, LQE2010-100 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) |
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