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講演抄録/キーワード
講演名 2010-11-12 11:15
低転位GaN基板上縦型HFET
岡田政也斎藤 雄横山満徳中田 健八重樫誠司片山浩二上野昌紀木山 誠勝山 造中村孝夫住友電工ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113
抄録 (和) 再成長AlGaN/GaNの2次元電子ガスをチャネルとする低転位GaN基板上の縦型Heterojunction Field-Effect Transistor(HFET)を開発した.縦型HFETの特性オン抵抗は7.6 mcm2,しきい値電圧は-1.1 V,耐圧は672 Vであった.これらの値は,これまで報告のあったGaN系縦型トランジスタを上回る性能指数となる.さらに,AlGaN膜厚の最適化によりノーマリオフ動作が可能であることを確認した. 
(英) A novel vertical heterojunction field-effect transistors (VHFETs) with re-grown AlGaN/GaN two-dimensional electron gas channels on low dislocation density free-standing GaN substrates have been developed. The VHFETs exhibit a specific on-resistance of 7.6 mcm2 at a threshold voltage of -1.1 V and a breakdown voltage of 672 V. The breakdown voltage and the figure of merit are the highest among those of the GaN-based vertical transistors ever reported. It was also demonstrated that the threshold voltage can be controlled by the thickness of AlGaN layers and a normally-off operation is achieved.
キーワード (和) AlGaN/GaN / heterojunction field-effect transistor / GaN基板 / / / / /  
(英) AlGaN/GaN / heterojunction field-effect transistor / GaN substrate / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 271, ED2010-157, pp. 67-70, 2010年11月.
資料番号 ED2010-157 
発行日 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 CPM LQE ED  
開催期間 2010-11-11 - 2010-11-12 
開催地(和) 阪大 中ノ島センター 
開催地(英)  
テーマ(和) 窒化物および混晶半導体デバイス 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2010-11-CPM-LQE-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 低転位GaN基板上縦型HFET 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Vertical Heterojunction Field-Effect Transistors on Low Dislocation Density GaN Substrates 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) AlGaN/GaN / AlGaN/GaN  
キーワード(2)(和/英) heterojunction field-effect transistor / heterojunction field-effect transistor  
キーワード(3)(和/英) GaN基板 / GaN substrate  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 政也 / Masaya Okada / オカダ マサヤ
第1著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称: SEI)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 斎藤 雄 / Yu Saitoh / サイトウ ユウ
第2著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称: SEI)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 満徳 / Mitsunori Yokoyama / ヨコヤマ ミツノリ
第3著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称: SEI)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中田 健 / Ken Nakata / ナカタ ケン
第4著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称: SEI)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 八重樫 誠司 / Seiji Yaegassi / ヤエガシ セイジ
第5著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称: SEI)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 片山 浩二 / Koji Katayama / カタヤマ コウジ
第6著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称: SEI)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 上野 昌紀 / Masaki Ueno / ウエノ マサキ
第7著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称: SEI)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 木山 誠 / Makoto Kiyama / キヤマ マコト
第8著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称: SEI)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 勝山 造 / Tsukuru Katsuyama / カツヤマ ツクル
第9著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称: SEI)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 孝夫 / Takao Nakamura / ナカムラ タカオ
第10著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称: SEI)
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講演者 第1著者 
発表日時 2010-11-12 11:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2010-157, CPM2010-123, LQE2010-113 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) 
ページ範囲 pp.67-70 
ページ数
発行日 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) 


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