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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-12 10:50 GaN自立基板を用いた縦型ダイオード ○八木修一・平田祥子・住田行常・別所公博・河合弘治（パウデック）・松枝敏晴・碓井 彰（古河機械金属）  ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112 |
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| 抄録 | （和） | 2インチn型GaN自立基板上にMOCVD法を用いてGaNエピタキシャル成長した基板を使用し、縦型のショットキーバリアダイオード（SBD）を作成し特性評価を行った。使用したGaN自立基板の特性は、基板の厚さは400 $\mu$m、比抵抗は$\leqq$2×$10^{-2}$ cmである。エピタキシャル成長したn- GaNの厚さは7 $\mu$m、キャリア濃度は8×$10^{15}$ $cm^{-3}$である。作成したフィールドプレート構造を持たないSBDのDC特性として、特性オン抵抗（$R_{on}$A）が2 $\Omega$$cm^{2}$、オフ耐圧は546 Vを得た。電流コラプスの影響もほとんど無く、温度特性も良好だった。 |
| （英） | We report the fabrication of schottky barrier diode (SBD) on GaN free-standing substrate. SBDs showed good DC operating characteristics. The breakdown voltage and the specific on-resistance ($R_{on}$A) of the SBD without field plate structure on GaN free-standing substrate were 546 V and 2 $\Omega$$cm^{2}$, respectively. SBDs on GaN free-standing substrate were hardly influenced by the current collapse. | |
| キーワード | （和） | GaN / SBD / 自立基板 / 電流コラプス / / / / |
| （英） | GaN / SBD / GaN free-standing substrate / Current collapse / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 273, LQE2010-112, pp. 63-66, 2010年11月. | |
| 資料番号 | LQE2010-112 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 阪大 中ノ島センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2010-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN自立基板を用いた縦型ダイオード |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Vertical GaN Diode on GaN Free-Standing Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | SBD / SBD |
| キーワード(3)（和/英） | 自立基板 / GaN free-standing substrate |
| キーワード(4)（和/英） | 電流コラプス / Current collapse |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八木 修一 / Shuichi Yagi / ヤギ シュウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社パウデック (略称： パウデック) POWDEC K. K. (略称： POWDEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平田 祥子 / Shoko Hirata / ヒラタ ショウコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社パウデック (略称： パウデック) POWDEC K. K. (略称： POWDEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 住田 行常 / Yasunobu Sumida / スミダ ヤスノブ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社パウデック (略称： パウデック) POWDEC K. K. (略称： POWDEC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 別所 公博 / Masahiro Bessho / ベッショ マサヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社パウデック (略称： パウデック) POWDEC K. K. (略称： POWDEC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河合 弘治 / Hiroji Kawai / カワイ ヒロジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社パウデック (略称： パウデック) POWDEC K. K. (略称： POWDEC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松枝 敏晴 / Toshiharu Matsueda / マツエダ トシハル |
| 第6著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社 (略称： 古河機械金属) Furukawa Company Limited (略称： Furukawa Co., Ltd.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 碓井 彰 / Akira Usui / ウスイ アキラ |
| 第7著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社 (略称： 古河機械金属) Furukawa Company Limited (略称： Furukawa Co., Ltd.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-12 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2010-156, CPM2010-122, LQE2010-112 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) |
| ページ範囲 | pp.63-66 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) |
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