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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-12 10:25 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価 ○菊田大悟・成田哲生・高橋直子・片岡恵太・木本康司・上杉 勉・加地 徹（豊田中研）・杉本雅裕（トヨタ自動車）  ED2010-155 CPM2010-121 LQE2010-111 |
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| 抄録 | （和） | p型GaNのエッチングダメージについて深さ方向分布、特に表面のバンド曲がりについて硬X線光電子分光（HAX-PES）法を用いて評価した。光電子の取り出し角を変化させることで異なる深さからの光電子の情報を検出し、p型GaN表面付近のバンド曲がりを解析した。その結果、ドライエッチングを施したp型GaN表面には1～2E20cm^-3のドナー性欠陥が導入され、ICPドライエッチング時のバイアスパワーを大きくすることで、結晶奥深く（5～8nm）まで欠陥が入ることが示された。 |
| （英） | We carried out nondestructive measurements of the depth profile of etching-induced damage in p-GaN, in particular surface band bending, using Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy (HAX-PES). HAX-PES at different take-off angles of photoelectrons made it clear that etching by inductively-coupled plasma (ICP) introduced donor-like states in a surface layer of GaN. We were able to quantitatively analyze band bending and charge distribution in an etched p-GaN. The analysis results indicated the existence of deep donors with a concentration of 1-2E20 cm^-3 in a surface layer whose thickness increased with increasing a bias power of ICP. | |
| キーワード | （和） | GaN / 硬X線光電子分光 / ドライエッチング / エッチングダメージ / 誘導結合プラズマ / / / |
| （英） | GaN / Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy / HAX-PES / dry etching / etching-induced damage / inductively-coupled plasma / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 271, ED2010-155, pp. 59-62, 2010年11月. | |
| 資料番号 | ED2010-155 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-155 CPM2010-121 LQE2010-111 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 阪大 中ノ島センター |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物および混晶半導体デバイス |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2010-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of etching-induced damage in p-type GaN by hard X-ray photoelectron spectroscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 硬X線光電子分光 / Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy |
| キーワード(3)（和/英） | ドライエッチング / HAX-PES |
| キーワード(4)（和/英） | エッチングダメージ / dry etching |
| キーワード(5)（和/英） | 誘導結合プラズマ / etching-induced damage |
| キーワード(6)（和/英） | / inductively-coupled plasma |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊田 大悟 / Daigo Kikuta / キクタ ダイゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 (略称： 豊田中研) Toyota Central R&D Labs., Inc. (略称： Toyota CRDL, Inc.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成田 哲生 / Tetsuo Narita / ナリタ テツオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 (略称： 豊田中研) Toyota Central R&D Labs., Inc. (略称： Toyota CRDL, Inc.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 直子 / Naoko Takahashi / タカハシ ナオコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 (略称： 豊田中研) Toyota Central R&D Labs., Inc. (略称： Toyota CRDL, Inc.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片岡 恵太 / Keita Kataoka / カタオカ ケイタ |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 (略称： 豊田中研) Toyota Central R&D Labs., Inc. (略称： Toyota CRDL, Inc.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木本 康司 / Yasuji Kimoto / キモト ヤスジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 (略称： 豊田中研) Toyota Central R&D Labs., Inc. (略称： Toyota CRDL, Inc.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上杉 勉 / Tsutomu Uesugi / ウエスギ ツトム |
| 第6著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 (略称： 豊田中研) Toyota Central R&D Labs., Inc. (略称： Toyota CRDL, Inc.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加地 徹 / Tetsu Kachi / カチ テツ |
| 第7著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 (略称： 豊田中研) Toyota Central R&D Labs., Inc. (略称： Toyota CRDL, Inc.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉本 雅裕 / Masahiro Sugimoto / スギモト マサヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | トヨタ自動車 (略称： トヨタ自動車) Toyota Motor Corporation (略称： Toyota Motor Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-12 10:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-155, CPM2010-121, LQE2010-111 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) |
| ページ範囲 | pp.59-62 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2010-11-04 (ED, CPM, LQE) |
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