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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-12 15:30 GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 ～ モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 ～ ○仲野駿佑・大村泰久（関西大）  SDM2010-184 |
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| 抄録 | （和） | サブ30nm-Si細線Gate-All-Around (GAA) MOSFET設計の実現可能性を考察するために指針に関する簡単なモデルを提案する。提案したモデルではフィッティングパラメータを用いているが、過去のシミュレーション結果を首尾良く再現している。この報告ではフィッティングパラメータを物理学的に考察し、提案したモデルの有用性を明らかにする。 |
| （英） | This paper proposes a simple model to examine the design feasibility of Si wire gate-all-around (GAA) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) having a sub-30-nm channel. Although the model has one fitting parameter, it successfully reproduces the past simulation results. The practical value of the fitting parameter is examined with the physical consideration, and the availability of the proposed model is revealed. | |
| キーワード | （和） | GAA MOSFET / 極限微細化 / 最小チャネル長モデリング / 電荷占有モデル / トンネル電流 / / / |
| （英） | GAA MOSFET / scaling / minimal channel modeling / charge-sharing model / tunnel current / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 274, SDM2010-184, pp. 71-76, 2010年11月. | |
| 資料番号 | SDM2010-184 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-184 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulations, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 |
| サブタイトル（和） | モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 |
| タイトル（英） | Design Feasibility of Si Wire GAA MOSFET |
| サブタイトル（英） | Analytical model for the design guideline |
| キーワード(1)（和/英） | GAA MOSFET / GAA MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 極限微細化 / scaling |
| キーワード(3)（和/英） | 最小チャネル長モデリング / minimal channel modeling |
| キーワード(4)（和/英） | 電荷占有モデル / charge-sharing model |
| キーワード(5)（和/英） | トンネル電流 / tunnel current |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 仲野 駿佑 / Shunsuke Nakano / ナカノ シュンスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 関西大学 (略称： 関西大) Kansai University (略称： Kansai Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大村 泰久 / Yasuhisa Omura / オオムラ ヤスヒサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 関西大学 (略称： 関西大) Kansai University (略称： Kansai Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-12 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-184 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.274 |
| ページ範囲 | pp.71-76 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-11-04 (SDM) |
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