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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-12 14:15 HV-MOSFETのオーバーラップ領域における2次元効果のモデル化 ○田中昭洋・折附泰典・菊地原秀行・三宅正尭・マタウシュ ハンス ユルゲン・三浦道子（広島大）・リウ ヨン・グリーン キース（Texas Instruments）  SDM2010-181 |
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| 抄録 | （和） | 高耐圧MOSFETは数Vから数100Vまでの広い耐圧をMOSFET部分とドレイン側のドリフト部分を調整することによって実現している. どのような耐圧のデバイスに対しても高精度な回路特性予測を実現するために、高抵抗ドリフト領域の正確なモデル化を行った. ここでは特に、オーバーラップ領域の2次元的な電流の流れを考慮することによってこれを実現した. 物理的な起源の明らかな6個のモデルパラメータで、様々の構造に対して正確な電流-電圧特性を記述できることを示した. 開発したモデルをHiSIM_HVの第2世代モデルに組み、再現性を評価した. |
| （英） | High-voltage MOSFETs have been applied in a wide range of bias voltages from a few volts up to several hundred volts by optimizing the combined structure of MOSFET and drift region at its drain side. To realize high predictive circuit simulations for any structural variations, physically accurate compact resistor model has been developed by considering the resistive drift region explicitly, which features a complicated 2-dimensional (2D) bias-dependent current flow. The developed compact resistor model enables reproduction of the I-V characteristics for a wide range of structure variations with a small number of only 6 fitting parameters. The reported quasi-2D resistor model will be implemented in the 2nd generation HiSIM-HV compact models for high-voltage MOSFETs. | |
| キーワード | （和） | HV-MOSFET / コンパクトモデル / 抵抗モデル / オーバーラップ領域 / 2次元効果 / / / |
| （英） | HV-MOSFET / compact model / resister model / overlap region / 2D effect / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 274, SDM2010-181, pp. 53-57, 2010年11月. | |
| 資料番号 | SDM2010-181 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-181 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulations, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | HV-MOSFETのオーバーラップ領域における2次元効果のモデル化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Modeling of 2D Bias Control in Overlap Region of High-Voltage MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | HV-MOSFET / HV-MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | コンパクトモデル / compact model |
| キーワード(3)（和/英） | 抵抗モデル / resister model |
| キーワード(4)（和/英） | オーバーラップ領域 / overlap region |
| キーワード(5)（和/英） | 2次元効果 / 2D effect |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 昭洋 / Akihiro Tanaka / タナカ アキヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 折附 泰典 / Yasunori Oritsuki / オリツキ ヤスノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊地原 秀行 / Hideyuki Kikuchihara / キクチハラ ヒデユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 正尭 / Masataka Miyake / ミヤケ マサタカ |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | マタウシュ ハンス ユルゲン / Hans Juergen Mattausch / マタウシュ ハンス ユルゲン |
| 第5著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 道子 / Mitiko Miura-Mattausch / ミウラ ミチコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | リウ ヨン / Yong Liu / リウ ヨン |
| 第7著者 所属（和/英） | テキサスインスツルメント (略称： Texas Instruments) Texas Instruments (略称： TI) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | グリーン キース / Keith Green / グリーン キース |
| 第8著者 所属（和/英） | テキサスインスツルメント (略称： Texas Instruments) Texas Instruments (略称： TI) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-12 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-181 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.274 |
| ページ範囲 | pp.53-57 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2010-11-04 (SDM) |
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