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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2010-11-12 13:50 インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング ○田中克彦・中村英之・上村大樹・竹内 幹・福田寿一・熊代成孝・最上 徹（MIRAI-Selete）  SDM2010-180 |
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| 抄録 | （和） | 宇宙線中性子起因の二次イオンが発生させた電荷によって生じたエラー信号パルスが組み合わせ回路中を伝播する Single Event Transient (SET) 現象によって引き起こされるロジック回路の誤動作が懸念されている。単体 MOS 構造における電荷収集電流波形を元に、インバータセルにおいて発生する SET パルス幅を推定するモデルを提案した。SPICE を必要とせず、また、予め TCAD 計算しておく電荷収集電流波形も少なくて済むという特長がある。計算されたパルス幅は mixed-mode TCAD による計算値と概ねよく合う。このモデルを用いて SET パルス発生率分布およびチップレベルでの誤動作率の評価を行ったところ、高信頼性を要する用途においては40nm node 近辺で対策が必要になる可能性が示された。 |
| （英） | Soft errors in logic circuits due to the propagation of erroneous signal caused by ionized particle generated by cosmic neutrons, which is called Single Event Transient (SET), might degrade reliability of future LSIs. A calculation model for estimating SET pulse width observed in inverter cells is proposed, which utilizes waveform of charge collection current obtained for single MOSFET structure. This method does not require SPICE, and a small number of TCAD calculations that should be performed beforehand to store current waveforms is sufficient. Calculated pulse widths agree well with those obtained by mixed-mode TCAD simulations, in general. This method is applied to calculation of distribution of SET pulse generation rate, and to evaluation of error rate in chip level, and it is predicted that some remedies for logic soft errors might be necessary around 40nm node for applications that requires high reliability. | |
| キーワード | （和） | ソフトエラー / Single Event Transient / 組み合わせ論理回路 / 中性子 / / / / |
| （英） | soft error / Single Event Transient / combinational logic / neutron / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 274, SDM2010-180, pp. 47-52, 2010年11月. | |
| 資料番号 | SDM2010-180 | |
| 発行日 | 2010-11-04 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-180 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2010-11-11 - 2010-11-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulations, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2010-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Modeling of Single-Event-Transient Pulse Generation in Inverter Cells |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ソフトエラー / soft error |
| キーワード(2)（和/英） | Single Event Transient / Single Event Transient |
| キーワード(3)（和/英） | 組み合わせ論理回路 / combinational logic |
| キーワード(4)（和/英） | 中性子 / neutron |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 克彦 / Katsuhiko Tanaka / タナカ カツヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 英之 / Hideyuki Nakamura / ナカムラ ヒデユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上村 大樹 / Taiki Uemura / ウエムラ タイキ |
| 第3著者 所属（和/英） | MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 幹 / Kan Takeuchi / タケウチ カン |
| 第4著者 所属（和/英） | MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 寿一 / Toshikazu Fukuda / フクダ トシカズ |
| 第5著者 所属（和/英） | MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 熊代 成孝 / Shigetaka Kumashiro / クマシロ シゲタカ |
| 第6著者 所属（和/英） | MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 最上 徹 / Tohru Mogami / モガミ トオル |
| 第7著者 所属（和/英） | MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2010-11-12 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-180 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.274 |
| ページ範囲 | pp.47-52 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2010-11-04 (SDM) |
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